核心参数
仪器种类: 其他
应用领域: 其它
产地类别: 国产
靶材: SiO2
基片尺寸: 4寸(可定制)
基片温度范围: RT-600ºC
成膜厚度均匀性: 均一性<3%
极限真空: <3E-9Torr
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技术参数
QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备) | |
UHV超高真空腔体 | 2腔室,Loadlock和蒸发,Loadlock极限真空 Ultimate Pressure<1E-8Torr,可加热RT-900oC |
蒸发腔 | 极限真空 Ultimate Pressure<3E-9Torr |
高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate | ±0.015?,Ф100mm 镀膜均一性<3% |
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制,加热RT-600oC |
传输 | 全自动样品传输 |
人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO |
测试结果展示
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企业名称
厦门韫茂科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
91350200ma31jeyq4y
成立日期
2018-03-19
注册资本
409
经营范围