核心参数
仪器种类: 电子束蒸发镀膜机
应用领域: 微电子学
产地类别: 国产
靶材: AL
基片尺寸: 4寸(可定制)
基片温度范围: RT-900ºC
成膜厚度均匀性: 均一性<3%
极限真空: <1E-9Torr
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技术参数
QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备) | |
超高真空腔体 UHV Chamber | 4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr |
基板加热 Wafer Heating | RT-900℃ |
离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性<3% |
电子束蒸发 Ebeam Evaporation | UHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply |
氧化 Oxidation | Flow and Static Mode Oxidation |
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制 |
基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能力 |
人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO |
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企业名称
厦门韫茂科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
91350200ma31jeyq4y
成立日期
2018-03-19
注册资本
409
经营范围