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双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P

品牌: 韫茂
产地: 福建
型号: QBT-P
报价: ¥150万 - 200万
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核心参数

仪器种类: 磁控溅射镀膜机

应用领域: 微电子学

产地类别: 国产

靶材:

基片尺寸: 4寸(可定制)

基片温度范围: RT-900ºC

成膜厚度均匀性: 基板刻蚀均一性<3%

极限真空: 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr

产品介绍

双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P 


微信图片_20220223162253.jpg

磁控溅射技术原理

    在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量,使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收,避免高能电子对极板的强烈轰击,消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤,体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在,电子的复杂运动增加了电离率,实现了高速溅射。


磁控溅射技术特点

    成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜


微信图片_20220223162304.jpg


技术参数

    

QBT-P 技术参数 Technical Specifications (超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备)
超高真空腔体 UHV Chamber2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排气速率Pumping Spead从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
基板加热 Wafer HeatingRT-900oC
离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性<3%
磁控溅射SputteringDC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI全自动化人机操作界面
安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO


工艺展示


微信图片_20220223162258.jpg

售后服务
保修期: 1年
是否可延长保修期:
现场技术咨询:
免费培训: 1. 设备出厂前,提供至少2人一周的设备原厂培训。 2. 设备在现场完成安装调试
免费仪器保养: 有需要可安排
保内维修承诺: 保修期内(除天灾和人为损害外)部件、元件费用、出差费用均由我司承担
报修承诺: 质保期内出现故障时我司将及时响应,并在8小时内派技术人员到现场解决故障;
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2022/03/11

工商信息

企业名称

厦门韫茂科技有限公司

企业信息已认证

企业类型

信用代码

91350200ma31jeyq4y

成立日期

2018-03-19

注册资本

409

经营范围

厦门韫茂科技有限公司为您提供韫茂双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P ,韫茂QBT-P 产地为福建,属于国产物理气相沉积设备,除了双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P 的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统、桌面型原子层沉积系统ALD 、粉末式原子层沉积 GM1000,YM客服电话,售前、售后均可联系。

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