德国IPLAS MPCVD CYRANNUS® 微波等离子化学气相沉积

德国IPLAS  MPCVD CYRANNUS® 专利技术，微波等离子化学气相沉积

第四代半导体，热沉器件，光学窗口

Iplas公司与1997 年在德国科隆由Hildegard Sung-Spitzl博士及其丈夫Ralf Spitzl博士建立。两位创世人在基础物理和应用物理领域具有渊博的知识，并在等离子技术领域具有深厚的研究开发经验。

Ralf Spitzl 博士至今已有逾三十多年的等离子物理研究经历，Ralf Spitzl 博士于 1996 年发明了CYRANNUS®等离子源，并与 1998 年取得了CYRANNUS®的第一个专利。2003 年 Iplas 制造了16" CYRANNUS® I 等离子源，是世界上最大的可在大气压下运行的商用等离子源，同年因其CYRANNUS® 技术的卓越性能，iplas 和美国阿贡国家实验室共同获得 R&D100 奖项。今天 Iplas已经拥有等离子技术领域的 20 余项国际专利。

金刚石在Ir/YSZ/Si上的异质外延

德国Audiaec公司采用的是德国IPLAS设备，目前德国Audiaec与DF公司合并了。

Augsburg Diamond Technology GmbH利用化学气相沉积技术在外源衬底(异质外延)上合成单晶金刚石。同外延的普遍概念是需要适当尺寸的单晶金刚石作为种子，与此相反，我们的新方法采用多层体系Ir/YSZ/Si作为可扩展的衬底。 这一创新有助于首次在直径达100毫米的圆盘上合成单晶金刚石。

IR/ YSZ /SI

直径为100mm的异质外延金刚石合成衬底:铱/钇稳定氧化锆/硅，用于第四代半导体， 是第四代半导体的终极材料。

钻石晶片：独立式单晶钻石圆盘，直径92毫米，重量155克拉

产品

具有独特尺寸的单晶钻石

我们的钻石已经成功地集成在各种高科技产品中，如超精密加工的刀具，手术刀，固体钻石球体，ATR棱镜....

为实现您的特定产品，我们可以提供不同形状，大小和晶体取向的单晶钻石。4p Geo A, 4p Geo B, 2p类型1,2p类型2，种子晶体，特殊形状，光学规格:尺寸a、b、c的标准公差:+0,25 / - 0,00mm(根据要求:+0,05 / - 0,00mm) 2p石头:poli

创新科技培育钻石是在一台高新技术仪器中，模拟自然环境下天然钻石生成所需的环境而生成的钻石。培育钻石是由优秀的科学家、专业的工程师及娴熟的技术人员所创造，是人类科技智慧的结晶。

专家预言本世纪最重要的发明将是会长大的钻石，是半导体的终极材料。培育钻石会取代硅在半导体的角色，研发第四代半导体，使人类科技进入另一世界，培育钻石作为一种新贵资源也将成为人们追逐的热点。