控制蒸镀范围的同时，通过低蒸镀速率实现薄膜的制备可以实现高结晶性的有机薄膜的制备 对少量有机材料的有效蒸镀，可削减材料使用成本 采用飞行器设计，可实现基板附近的蒸镀 Z操作台的使用，可避免与现有设备的干扰 手动挡板及可变控制蒸镀范围，能将蒸镀腔的污染控制到最小 蒸镀范围：Φ20～ （根据蒸镀距离可调整） 蒸镀速度：数原子层/min 安装法兰：Φ70ICF 坩埚温度计：TYPE-K 付挡板 【可蒸镀材料】 ：分子 ：诱导体 ：分子　其他                 用AEV-OD蒸镀的C40H20膜的X射线反射结晶结构　　　　　　　　　　顶顶顶顶 水晶振动式膜厚计测定数据                  （根据累计膜厚和蒸镀时间推算出的蒸镀率）  

Go to AEV-11 特长 三源超高真空电子束蒸发装置是在AEV-11的基础上开发设计的三源同时蒸发电子束装置。 AEV-11支持足够高的温度可以蒸镀 Fe, Co, Bi, Pt, Ag, Mo, Ta, W, etc.  并可以增加坩埚选项，蒸镀钽和钼。 三源分别独立存在，可进行三源同时蒸镀。 允许用户同时计测三源的独立束流量。 ICF34法兰方便用户更换样品，不必从真空腔拆解蒸发源本体 技术参数 蒸镀范围： φ20 (Working Distance = 170mm) 水冷装置： (冷却水: 屏蔽装置： 手动挡板 温度范围： ～3300℃ 蒸发速率： 数原子层/分. 内置通量检测器 (专用电源装置, AEV-1P-300 可控制蒸发速率) 线性运动馈通定位蒸镀样品位置(推进进程 = 30mm） 搭载φ70 ICF 法兰 (内径≥φ34) 烘烤温度： 200℃以下 棒状材料尺寸： φ2mm × L40mm 单源超高真空电子束蒸发装置 三源超高真空电子束蒸发装置 [fig.1] 可用AEV-1P300控制沉积速率 [fig.2] 利用AEV-1P30将沉积速率控制为φ 0.15 ML.时三源同时沉积数据 三源同时沉积时的蒸镀范围： φ10 基板/φ6 从边缘两毫米]    A (center)  B (+Y)  C (-Y)  D (+X)  E (-X) NO.1/Pt θ=0.16 0.16  0.16  0.16  0.15  NO.2/Ni 0.14 0.15  0.13  0.13  0.14  NO.3/Ag 0.14 0.15 0.14 0.15 0.15

特长 AEV-11 是为单原子层和薄膜的制备而设计，可以通过电子束对线状，棒状等材料加热，进行高纯度的蒸镀。 AEV-11支持足够高的温度可以蒸镀 Fe, Co, Bi, Pt, Ag, Mo, Ta, W, etc.  并可以增加坩埚选项，蒸镀钽和钼。 AEV-11内置通量检测器与专用调节器结合，方便管理蒸镀速率 。 在材料蒸镀过程中，能通过传送装置将样品送到最合适的蒸镀位置，而不破坏超高真空环境。 技术参数 光束调节φ4-20 (工作进程 = 150mm) 水冷罩 (水冷: 手动挡板 线状; 棒状 (高熔点材料); 蒸发坩埚 (可选) 温度: 可达到3300℃ 标准蒸发速率: 几层/分 内置通量检测器 (专用电源装置, AEV-1P-300 可控制蒸发速率) 线性运动馈通定位蒸镀样品位置(stroke = 30mm) 搭载φ70 ICF 法兰 (内径≥φ34) 通过φ34 ICF 法兰更换样品 应用领域 形成一个高纯度单层薄膜和多层膜 可用坩埚蒸发各种高熔点金属或棒 形成单层或多层外延 亚单层薄膜沉积内部通量监测   AEV-11 可选配件 坩埚 可用于氢原子 可用于大型号

823MNK 利用高周波等离子实现的简易等离子CVD成膜装置。 生长室 真空腔 分批式　φ159×95 高周波机构 500W输出 / 自动控制系统 样品尺寸 φ2inch以下 排气系统 机械泵 250l/min   气体导入系统 针阀流量控制 蝶形阀排气电导率控制 压力检测器：非稳定行波动磁控管/压力计

DA0060 为CVD装置提供混合气体的专用设备。 可以对复数以上的气体进行任何比例的混合供给。传送带设计，可很大程度上减少阀门操作带来的压力变化。   输气管 10条 管道接头 4VCR 蒸发器 2个 (可控温) 阀门控制 可使用专用软件控制（扩展组件）

867DAG 具备良好均热性的加热机构和可控蒸镀速率，可实现在云母基板上的单晶金膜的生长。 可混合制作设计，一次可进行复数以上的基板成膜。 基板加热 角形辐射加热机构 基板支撑方式 角形导轨方式 基板个数 10mm×10mm：21个 10mm×20mm：12个 基板屏蔽 手动式 蒸发源 耐加热式3源端口 到达真空度 10-6Pa级 膜厚监测 水晶振动方式 可扩展组件 防止剥离处理单元

697MNK   将装置导入传样室，通过复数电极有效的接触，可对 装置进行评价。 气体导入系统可以对应各种气体，压力条件下的实验。 通电室 真空腔 φ250×350 样品操纵器 3轴 （X, Y, Z） / 付多销接点机构 排气系统 分子泵 800l/sec，滚动泵 500l/min 传样室 真空室 φ250×350 搬送機構 手推式样品载入机构 排気系 分子泵 200l/sec，滚动泵 气体导入系统 控制系统 非稳定波形磁控管压力控制 （自动流量控制）  

698MNK 搭载两台5口/ 10kW电子枪，可一次填充十种不同材料。 可扩展样品停留和分析室。 生长室 腔体 φ650×800 水冷管 / 铠装加热器 蒸发源 15cc 5发 / 10kW 电子枪 2台 电子枪电源 15kW 样品操纵器 3轴操纵器 (X, Y, Z) 衬底加热 光加热机构 400℃ 排気系 分子泵 3300l/sec，机械泵 2000l/min 传样室 传输机构 磁性传输装置 /舱口付0型密封圈 排气系统 分子泵 200l/sec，滚动泵

RD0002       付生 传 传 原 适用于半导体薄膜生长，太阳能电池用薄膜生长的研究开发领域。 利用超高真空技术，为用户的薄膜生长提供最优越的环境。 进样室搭载磁悬浮型分子泵以及滚动泵，可以在不破坏真空环境 的条件下实现衬底的传送。 提供丰富可组件选择，可根据研究开发的要求自由搭配组合，实 现高精度原位分析的小型MBE系统 生长室(极高真空对应脱气处理) 蒸发源端口 8 端口 衬底尺寸 ～3inch (付衬底旋转功能) *衬底加热/冷却可选功能 生长室到达真空度 10-9Pa级 生长室排气系统 付离子泵 /分子泵 *液氮屏蔽罩可选功能         传样室（小巧角形腔体） 衬底传送 超高真空传送装置 传样室排气系统 300l/s 磁悬浮型分子泵/滚动泵 样 蒸发源 （可选组件） 努森池蒸发源 (高温源/SUMO源/阀式裂解源) 电子束蒸发源 离子源   原位解析 (可选组件) RHEED装置 + kSA400解析系统 高精度实时温度监控系统 BandiT 原位薄膜应力计 MOS

i-Quick是与日本产业技术研究所合作开发的成膜装置。 i-Quick打破传统成膜装置的障碍，即使是普通学生也可轻松操作并生长高品质薄膜。 “i-Quick”的 “i”是以日本产业技术研究所提倡的以智慧求环保(intelligence)的综合理念而来。 加入“Quick”要素，代表操作简单快捷的同时，并保证稳定成膜的新一代研究开发型成膜装置。             到达真空度 样品准备室： 10-6Pa 成膜室： 10-8Pa 成膜室 腔体： 尺寸/材质：φ400×H500　SUS304 内面处理：抛光研磨+电解研磨 φ203ICF真空视窗（付手动挡板，内部观察用） φ70ICF真空视窗（付手动挡板，蒸发源观察用） 水冷管，护套式加热器 主泵： 800L/sec 磁轴承型分子泵 辅助泵： 350L/min 机械泵 操纵装置： Z轴行程：50mm 面内旋转：360°连续电机驱动（～20rpm） 样品架： φ3英寸（φ2，φ4英寸选择可） 蒸发源： 3KW电子束蒸发源（4基） 电子束加速电压：5KV 发射电流：0～600ｍA 电子束扫描 坩埚数/容量：4个/3.8mL 连接法兰：φ253ICF ※同时蒸镀：可4源同时蒸镀（需4台电子枪控制电源，标准规格付一台） 样品准备室 腔体: 尺寸/材质：φ100×H150、SUS304 φ203ICF衬底交换室 自动泄漏阀 搬送装置： 磁性传输装置 主泵： 300L/sec磁轴承分子泵 辅助泵： 150L/min机械泵 初级泵： 250L/min.油回转泵 控制/计测系统 电离真空计： 测定范围：10-2Pa～10-9Pa 频道数：2ch切换   真空计： 测定范围：0.1MPa～10-2Pa 频道数：2ch 膜厚控制器： XTC/2，付屏蔽挡板UHV 检出装置 触摸式操作： ( PC+LabVIEW ) 真空排气/泄漏自动操作，泵/阀遥控操作，安全自锁功能，自动检漏功能，停电对策

反射式高能电子衍射仪分析系统（kSA400 ）Analytical RHEED System kSA400 RHEED分析系统是全球最专业的RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统，结合优质的硬件和功能强大的软件为客户提供最广泛的RHEED分析信息，并同时可扩展LEED的功能。 原位薄膜应力计（kSA MOS） 原位薄膜应力计时带有为了过程控制需要的高度集成实时反馈功能的薄膜应力和晶圆翘曲度的测量工具。采用非接触激光MOS技术；不但可以精确的对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力，曲率成像分析；客户可自行定义选择使用任何一个或者一组激光点进行测量；并且这种设计始终保证所有阵列的激光光点始终在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时大大提高了测试的分辨率；适合各种材质和厚度薄膜应力分析；该设备已广泛被全球著名高等学府，半导体和微电子制造商。   半导体薄膜基片温度实时监控装置（kSA BandiT） 半导体薄膜基片温度实时监控装置(kSA BandiT)是一种非接触，实时谱带吸收式半导体镜片温度传感器。它才有谱代随温度变化的半导体材料，可以监测高温计所不能测量的晶片温度。利用kSA BandiT能实时提供包膜生长过程中整个镜片的温度分布全图。目前没有一个原位光学温度监测器的可靠性能与 kSA BandiT匹敌。   沉积速率监测和过程控制系统（kSA RateRat Pro）Real-time Deposition Rate Monitoring 仪器简介：全球最专业的薄膜沉积速率监控系统，采用无损的激光技术实时原位检测薄膜沉积速率、薄膜厚度以及光学常量，广泛的应用于金属有机化学气象沉积MOCVD、分子束外延MBE、溅射系 统Sputtering和蒸发系统等薄膜沉积过程的实时原位监控。  

此设备由德国马普所聚合物研究所中心主任Wolfgang Knoll博士协力研究开发而成。它利用表面等离子共振现象，可以在未标记的条件下，实时监测生物分子间的相互作用。适用于尖端纳米生物工艺学的研究领域。 [应用范围] ◎DNA/RNA，蛋白质（抗体/抗原），糖，细胞间的相互作用的直接测定 ◎吸附速度的解析，结合量，结合常数的确定 [特长] ◎免标记，无需繁杂荧光标记 ◎可对吸附过程实时定量分析 ◎柔性化可扩展设计，可根据研究需要添加各种组件（电化学源，CCD照相机，温度控制装置等） ◎使用LabView软件   表面等离子共振技术：光学原理   当一偏振光通过棱镜入射在厚度为50nm的金属薄膜表面上时会发生全反射，在特定条件下，金属薄膜表面上的自由电子吸收入射光子并转化成表面等离子体波的现象被称为表面等离子共振现象。 这种现象对媒介材料的反射率变化极为敏感。例如分子吸附在金属表面（在消逝波距离中）显示出此种变化即可高灵敏度地观察分子在金属表面的吸附和运动过程。 角扫描模式 系统通过θ-2θ角度仪，扫描入射角度并显示反射强度。角度扫描模式允许用户确定分子的吸收数量。 测定范围：入射角10°～ 90° 光学膜厚分辨率：0.1纳米以下 构成 ■SPR基本光学本体（1000×450×50H） ■θ-2θ 测角仪（步进电机驱动） ■He-Ne激光 ■光量计 ■锁定放大器 ■偏光板 ■样品架 ■PC，软件 附件 ■溶液流量系统 ■溶液温度控制系统 ■SPR显微镜 ■荧光显微镜 ■荧光分光测定 ■Grating-Coupling SPR 动力学模式 系统采用固定角度入射光来测量反射光强度的时间变化，动力学模式允许用户实时监测分子吸附/脱附过程。 反射分辨率：0.1％以下 时间分辨率：0.1秒以下  

低电流发射高能电子衍射仪PICO-RHEED 30KeV 电子枪（RDA-003G） 电源 （RDA-004P）      反射高能电子衍射仪（RHEED）是观察晶体生长最重要的实时监测工具之一。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。 因此反射高能电子衍射仪已成为MBE系统中监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。      R-DEC公司生产的反射高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以及拥有高亮度的衍射斑点等特长得到日本国内及海外各研究机构的一致好评和认可。 易于操作的设计 可远程控制调节电压，束流强度，聚焦位置以及光束偏转 带有安全闭锁装置 拥有高亮度衍射斑点 电子枪内表面经特殊处理，能实现极低放气率 镍铁高导磁合金磁屏蔽罩 可搭载差动抽气系统 经久耐用，稳定可靠 符合欧盟RoHS指令 kSA400RHEED分析系统兼容 30KeV 电子枪 型号 RDA-003G 电子束径 φ90μm 灯丝 φ0.1mm 发夹式钨灯丝 控制电极 定量偏压 集束线圈 空心型电磁线圈 偏向线圈 环形电磁线圈 轴向校正 灯丝，控制电极 绝缘电压 DC30KV 工作压强范围 -4Pa～10-9Pa 最大烘烤温度 200℃ 连接法兰 ICF70（外径φ2.75英寸） 外形尺寸 φ100 x 401mm （可加长100mm）   30KeV 电子枪电源 型号 RDA-004P 加速电压 0～30KV 定电压电源（纹波值≤0.03%） 电子束电流 0～160μA 灯丝电源 0～2V定电压电源2Amax（纹波电压≤0.05%） 灯丝电流 Max. 2A  偏向线圈电源  ±1A定电流电源±1V （纹波电压≤0.05%） 集束线圈电源 ±0～1.5A定电流电源0～22V （纹波电压≤0.05%） 输入电压 200V, 220V, 230V, 240V 外形尺寸 480mm x 199mm x 500mm（可加长100mm） 安全功能 安全闭锁装置 其他 RoHS指令认证 反射高能电子衍射仪分析系统（kSA400 - Leader in Analytical RHEED and LEED）      kSA400 RHEED分析系统是全球最专业的RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统，目前第四代系统结合优质的硬件和功能强大的软件除了可以实时取得分析数据之外，还可实现实时晶格间距，原位应力，实时薄膜沉积速率以及薄膜厚度的解析。为用户提供最广泛的RHEED分析信息。 "PlUG-IN SOFTWARE" 360KB "RHEED GUN CONTROL OPTION" (pdf)  

i-GONIO是与日本产业技术研究所合作开发的超高真空兼容，同时兼具冷却功能的高精度六轴角度操纵台，冷却温度可低于10K.   冷却方式： 液氦 加热器： 内置低温控制器 材料： 完全非磁性 加入偏压： 蓝宝石浮标（可选） 样品传输： 标准配置   由日本广岛大学放射光科学研究中心协力提供   六轴型（虚拟双轴型）(Six-Axis Cryostat/Virtual Shaft Double-Axis Type) ◆ X/Y/Z/θ相互组合，可实现六轴控制 样品台构成： 倾斜旋转/面内旋转 冷却到达温度： 12K 倾斜旋转范围： -5°～ 60° 面内旋转范围： -90°～ 90° 倾斜角度分辨率： 0.05° 面内角度分辨率： 0.2° 屏蔽装置： 固定屏蔽罩   五轴型（虚拟单轴）(Five-Axis Cryostat/Virtual Shaft Single-Axis Type) ◆左右对称设计，可自由调节传输方向及入射角度 样品台构成： 倾斜旋转 冷却到达温度： 12K 倾斜旋转范围： -5°～ 60° 倾斜角度分辨率： 0.05° 屏蔽装置： 固定屏蔽罩   实轴面内旋转型 (Real Shaft In-plane Rotation Type) ◆面内旋转型制冷台有最强制冷能力及角度分辨能力 样品台构成： 面内旋转 冷却到达温度： 9K 面内旋转范围： -90°～ +90° 面内角度分辨率： 0.1° 屏蔽装置： 固定屏蔽罩   实轴一段或两段式倾斜旋转型 (Real Shaft Single or Double Tilt Stages Type) ◆倾斜旋转型且具有最强制冷能力 ◆可实现固定/倾斜的复合型样品台 样品台构成： 倾斜旋转（两段样品台时上段可固定） 冷却到达温度： 10K （可倾斜样品台） 7K （固定样品台） 倾斜旋转范围： -5°～ 60° 倾斜角度分辨率： 0.05° 屏蔽装置： 开闭式屏蔽罩     零轴型 (0-Axis Type) ◆可对应各种形状样品架 ◆导入内径为φ58的紧凑设计 ◆可对应复数以上样品架 样品台构成： 固定两段样品台（段数可选） 冷却到达温度： 7K （2段样品台/带浮标） 屏蔽装置： 开闭式屏蔽罩  

1231DAG 利用从电子枪系统发射出的脉冲电子束，进行电子衍射。 将脉冲电子束通过本装置的样品室导入，对样品进行照射，电子衍射，形成衍射图像。衍射电子束经由中间真空室，将衍射图像映射记录在摄影用真空室的超灵敏胶片上。     真空室 /真空排气系统 6室方式 样品室、样品处理室、样品预备排气室、中间室、成像观察室、摄像室 排气系统 付IP / TSP×3台，TMP×2台，SP×2台 样品控制到达真空度 10-9Pa级 真空计 巴雅-阿尔培电离真空计，差压计 　　 衍射成像记录 (Terabase Inc.产品) 三段磁界镜头扩大方式 付电子束电磁轴校正装置 成像记录超灵敏胶片照相机 　　 本体大小：长 1850、宽 1050、高 1650、重量：约800kg      Terabase Inc.产品、购买用户：大阪大学产业科学研究所

760MNK的 利用傅立叶变化红外光谱在真空环境中对衬底上成膜材料进行测定，可对晶圆内的成分解析以及各成分进行定量分析。 在FTIR的基本机能上，追加真空环境中对晶圆内映射成像，可以迅速除掉水蒸气和二氧化碳等背地气体的影响，进行高精度的测量。 傅立叶变换红外光谱（FTIR） 真空排气对应 晶圆映射成像系统 样品尺寸 4～8inch 晶圆以及不规则衬底片 真空度 10Pa以下 应用软件 自动测绘应用软件 操作坐标设定，R-θ设定，X-Y 平方设定， 其他设定的追加可能 标准设定，解析软件

459MNK 可通过对MEMS,红外线传感器等装置进行超灵敏泄漏实验以及半导体装置动作时产生的放出气体的趋势测量，实现设备装置的性能评价。 规格： 排气系统 300L/sec.磁悬浮TMP 50 L/sec.TMP(两段),SP 到达压力 5×10-9～10-1Pa以下 分析仪：超微量气体放出四重极质量分析仪TULO-RGA101 　　　　 （真空实验室公司产品） 最小检出分压感度 1×10-12Pa 质量分析范围 1～100amu (使用扩展选项可达200 or 300) 全压测定范围 10-9Pa～10-1Pa

DA0084 通过半球形能量分析仪和黑白X射线进行高分辨率光电子能谱分析。 可与MBE装置对接，在不破坏超高真空环境的环境下，对样品进行分析测定。 分析室 付镍铁合金屏蔽罩 样品尺寸 10mm×10mm 角度分辨率 0.05° 样品操纵装置 4轴马达控制装置(X, Y, Z, θ) 排气系统 IP / TSP，TMP，SP

特长： 可应用于半导体和模型催化剂等方面的低能电子衍射，俄歇电子能谱以及升温分离的表面分析装置。 分析计搭载低能电子衍射仪和俄歇电子能谱仪以及最适合金属薄膜生长的电子束蒸发装置。 规格 表面分析系统 LEED / AES 蒸发源 超高真空蒸发源 AEV系列 气源 氢气射流　AEV系列 样品加热 直接通电加热式（TC接触式样品架） 样品操纵装置 X,Y,Z,θ,平面旋转五轴运动控制 升温脱离分析 四重极质量分析计 气体导入系统 高精度可变漏阀 分析室真空度 10-8Pa级　(TMP排气) *可搭载IP排气系统达到（10-9Pa级） 　 封闭样品载入室保准配置 超高真空排气控制系统  

日本艾狄克公司氢脆研究用测氢装置近期在一重天津验收完毕    滨州创元设备机械制造有限公司全权代理的日本著名高科技研究设备生产厂家R-DEC公司的真实大样品钢中氢含量-温度曲线测定装置HTDS002近期在天津塘沽经济开发区安装调试完毕正式交付使用。日本工程师严谨的工作态度得到大家一致好评。产品质量达到合约要求，顺利验收。    该仪器主要用于测量钢中的氢含量，可通过氢分析质谱仪对升温过程中从钢试样中逸出的氢流量进行精确定量地测量，并转化成氢含量从而获得真实大样品钢中氢含量-温度曲线。为轧辊材料以及大型铸锻件焊接组织的氢脆敏感性评价和质量控制提供重要的不可缺少的实验数据。    该装置是该公司花费12年时间左右时间，和世界公认的材料领域界著名权威研究机构日本NIMS合作研制成功。继首台设备进入中国北京钢铁研究总院以来,一重作为企业是首次导入该装置。标志着一重在该领域研究装置方面已经迈入世界一流水准。它将成为世界上氢脆研究领域定量测氢标准机。预祝一重天津能源所充分运用好该装置取得更多自主创新研究成果。      该装置主要有如下几个特点 世界上唯一可以测得钢铁材料中氢含量-温度曲线的装置。可以慢速也可以快速加温。日本最新研究表明和高强螺栓氢脆最相关的是结合能低的扩散性氢。也就是低温时候(室温～300℃)从金属中放出的氢. 使得大样品或实际零件定量测氢成为可能φ20mm×50mm 即使在大样品或实际零件条件下也可以获得定量测氢,精度为0.01wt.ppm，且具有良好再现性 只要保证试样尺寸在φ20mm×50mm以内，不论何种形状均可测定。所以实际工况的环境中取出试样，简单清洗后很快即可进行定量测定。        

创元公司近期成为日本远州激光公司中国代理商    日本远州激光公司是专门提供各种激光热加工设备的日本著名企业之一。该公司历史悠久，在日本拥有众多的用户。尤其在激光热处理，激光焊接和精密加工方面独占熬头。随着中国汽车的普及，人们对汽车品质和价格要求越来越高。如为了减轻重量，要求用激光使得厚板和薄板拼焊成为一体，窄板焊接成为宽板等等。日本汽车厂家早已开始采用这种激光拼焊—TWB--技术，而中国方面则刚刚起步。预计不久的将来这种高端设备会逐渐为中国汽车业和钢铁等各界采用。    众所周知，实用激光器从CO2激光器，到YAG激光器，再到光纤激光器和现在的半导体激光器，技术上已经发生重大进步。日本该公司可以提供如下类型的激光器和加工系统供用户选择。尤其推荐大家使用半导体激光器。它可以实现至今无法实现的目标。 1.直接照光型半导体激光器（DDL,１～5.5KW) 2.光纤激光器 (FOLD)       30W 70Ｗ 150Ｗ / 100Ｗ・200Ｗ・300Ｗ・500Ｗ 3.固体激光器 半导体激光器优势简介 A.高亮度/高效率    激光班点比原来减少2/3但是热密度提高30%. B.小型化   ２kW・14kg W270xH199xD495mm C.多用化，同事可以做焊接和淬火处理 D. 可以实现宽带淬火 人们不仅要问为何现在激光淬火重新引人瞩目？如下几点可以解释缘由。 940nm的半导体激光很容易被金属吸收，不像以前那样费时费事地涂覆吸收剂 激光斑点大而均匀　最大可达到9.0㎜x12.0㎜　f;300㎜ 激光功率可以被稳定控制 小型化使得可以实现在线化生产     希望该公司的上述产品对促进中国汽车和钢铁等产业升级起到应有的作用。  

　　创元公司成为日本TC公司中国代理商 　　日本TC社是专门提供锻造前棒料高效感应预热装置的著名企业之一，历史悠久，在日本拥有众多的用户。随着中国汽车的普及，人们对汽车品质和价格要求越来越高。为了保证汽车零部件锻造效率和质量，日本汽车厂家或锻造件供应厂家早已采用锻造前棒料高效预热装置。而中国方面则对此要求不高。预计不久将来这种高端设备会逐渐为中国汽车业界采用。 　　根据加热功率大小，日本市场上基本上被3家垄断，日本TC社在中等功率(50-4800KW)范畴最有优势。 其中2400KW预热装置最有特点。 　　双系列2400KW预热装置特点 1。采用节能感应加热圈 2。信赖性高 3。没有废材，直到保证最后一个棒料均匀加热 4。触屏式操作更人性化/简单化/故障及解决方案显示化 5。环保    采用 12相整流方式的变频器以适应日本国家对高频对策技术方针的严格要求。   不需要高频过滤器 6。完善的售后服务体系    此外，该公司还能够提供高品质特殊钢熔炼所需的最大为30吨的各种铸造用高频/低频感应加热炉。    希望该公司的上述产品对促进中国汽车和钢铁产业升级起到应有的作用。

宝钢-日本富士电波近日再次就热力模拟试验机签订技术协议 （原位晶粒观察/多方向变形/大吨位/大样品/双电源单体化热力模拟试验机或   带有薄板试验机构的大吨位/大样品/双电源单体化热力模拟试验机）   经过艰苦努力，近日宝钢研究院本部和日本富士电波工机公司终于完成了热力模拟试验机技术协议的签订。这是一件可喜可贺的事，这标志着世界上最先进的原位晶粒观察/多方向变形/大吨位/大样品/双电源单体化热力模拟试验机Thermecmastor-Z,200KN或带有薄板试验机构的大吨位/大样品/双电源单体化热力模拟试验机Thermecmastor-Z,300KN有可能首次进入中国市场。目前已经进入最后竞价阶段。    1991年宝钢继武钢之后迅速导入了该日本公司高频电源式小吨位热力模拟试验机Thermecmastor-Z,100KN.由于日本热模拟为宝钢的技术研发和中国钢铁领域热模拟研究作出了显著贡献，得到了用户充分肯定，尤其是在使用方便，相变点测量数据准确等方面获得业主好评。于是，时隔18年后宝钢研究院特钢研究所于2009年再次选择该家设备，一次购买了Thermecmastor-Z,150KN和Thermecmastor-TS.经过1年多运行。设备运行正常。没有出现任何故障。再次显示该公司热力模拟试验机技术成熟稳定可靠。    近期宝钢研究院本部再次和日本富士电波工机公司达成技术协议，表明宝钢对该公司技术的高度认可。希望宝钢能够如愿以偿成为中国第一家导入原位观察/多方向变形/大吨位/大样品/双电源单体化热力模拟试验机或第一家导入带有薄板试验机构的最先进的大吨位/大样品/双电源单体化热力模拟试验机Thermecmastor-Z,300KN的用户。    纵观世界上热模拟试验机领域，唯有日本公司可以同时提供2种加热电源-----高频电源和通电加热，分别使用或同时使用。唯有日本公司可以提供大载荷300KN和大样品30x30x150mm。这使得客户可以方便地在热模拟试验后从大样品中抽出完整拉伸或冲击试样。从而完成材料科学家蒙昧以求的夙愿之一------材料的成分-组织-性能能够在同一根试样上完成。    纵观世界上热模拟试验机领域，唯有日本公司可以同时使得原位晶粒观察，多方向变形，大吨位，大样品，双电源等功能集成为一个单体热力模拟试验机，操作十分方便，一个年轻女士即可单独完成所有试验。不同功能切换时不需要更换笨重试验模块。

武钢-日本富士电波近日签订商务合同完毕（大吨位大样品双电源热力模拟试验机）   经过艰苦谈判，近日武钢-日本富士电波工机公司终于完成了商务合同的签订。这是一件可喜可贺的事，这标志着世界上最先进的大吨位大样品双电源热力模拟试验机Thermecmastor-Z,300KN将于明年8-9月份导入中国。    1987年武钢就率先导入该公司高频电源式小吨位热力模拟试验机Thermecmastor-Z,100KN.由于日本热模拟为武钢的技术研发和中国钢铁领域热模拟研究作出了显著贡献，得到了用户广泛认可，尤其是在使用方便，相变点测量数据准确等方面获得业界好评。时隔20年后武钢于2007年前后再次动议购买该家设备。经过5年努力，武钢终于如愿以偿成为中国第一家导入大吨位双电源热力模拟试验机的用户。    纵观世界上热模拟试验机领域，唯有日本公司可以同时提供2种加热电源-----高频电源和通电加热，分别使用或同时使用。唯有日本公司可以提供大载荷300KN和大样品30x30x150mm。这使得客户可以方便地在热模拟试验后从大样品中抽出完整拉伸或冲击试样。从而完成材料科学家蒙昧以求的夙愿之一------材料的成分-组织-性能能够在同一根试样上完成。    相信该装置的导入一定能象1987年中国首次导入Thermecmastor-Z,100KN一样为武钢技术创新腾飞助力，为中国钢铁领域热模拟研究做出更大贡献。  

武钢研究院首次导入日本最新型大吨位大样品双电源热模拟Thermecmastor-Z,300KN,1000mm/s,30x30x150mm 　　滨州创元设备机械制造有限公司全权代理的日本富士电波公司最新型大吨位大样品双电源热模拟Thermecmastor-Z,300KN,1000mm/s，30x30x150mm在武钢举行的国际招标会上以技 术领先取胜，独家投标中标.已于近日获得中标通知。 　　武钢和宝钢1987年，1991年首次分别导入该日本公司10吨的热模拟装置Thermecmastor-Z,100KN。2009年宝钢再次导入新型15吨热模拟Thermecmastor-Z,150KN和世界上最新的10吨扭转热模拟Thermecmastor-TS。此次武钢选择的时日本公司最先进型号30吨热模拟Thermecmastor-Z,300KN。武钢和宝钢近年都是时隔近20年后第2次选择购买该公司热模拟，说明中国钢铁巨头对该公司设备的青睐。相信会有越来越多的中国钢铁企业选择日本热模拟。预计会像日本新日铁，JFE等公司一样将在不同时期购买7-10热模拟装置。    最新型大吨位大样品双电源热模拟（Thermecmastor-Z,300KN,1000mm/s,30x-30x150mm）具有如下几个特点 使用极为方便 所有拉-压-焊等所有功能都是一体化的。在同一个模块，在同一个不锈钢真空腔体上完成。不需要像其他公司那样对应不同试验要更换繁重复杂的轨道式模块-----如液压楔模块切换等。日本的热模拟使用非常方便，一个小姑娘即可简单地完成所以试验工作。 CCT/TTT曲线数据较为准确    由于测试CCT/TTT曲线所用的每一个膨胀数据都是使用高频电源加热获得的。加热前后，变形前后样品上没有任何外加载荷。避免了像其他公司那样试样上始终有通电加热用之巨大电极夹头自重以及试样二端预载荷存在的影响。此外，试样上的微小膨胀量变化可以通过2400次/秒的LED光束实时非接触式监控。避免了像其他公司那样采用机械式玻璃棒测量圆柱膨胀量时不可避免地产生的各种机械误差。 世界上首次同时采用双电源---均温范围大30x30mm 试样加热冷却均温范围大,可以实现30x30mm的均温范围。轴向和径向温差都较别的公司均匀得多。因而平面应变数据也较别的公司精确得多。 世界上最大吨位---30吨使得变形加工后的大样品仍然可以抽出拉伸和冲击试样 对于金属材料研究者来说一直蒙昧以求的是实现真正意义上的成分-变形-热处理-组织-性能能够在同一根样品上完成。这一点必然要求式样尺寸足够大。试样尺寸大导致轴向和径向温度梯度加大。这要求有更大的油压吨位。导致控制难度增加。日本分别解决了双电源法以及大吨位控制问题。所以实现了这一点。相信这个模拟能力或许将改变现行钢材的力学性能的检验程序。不仅仅检测从炉子里出来后的拉伸性能和冲击性能。对扎制后的拉伸性能和冲击性能也要列为检验对象。通过这个大试样的热模拟结果可以很好的真正控制最后的扎制工艺和力学性能。    

    由我司全权代理的日本富士电波公司的全自动金属相变仪formastor-FII为世界著名产品，是1964年在日本率先推出。现已有300多家用户。自1974年进入中国一以来一直为中国钢铁界科学家所喜好，近几年宝钢，武钢，攀钢，被经钢铁研究总院，包钢等分别更新该产品。中信重工是继26年前上海重工首次导入中国重工行业之后近年来首次导入这种新型相变测定仪。相信该装置的导入对中国重工行业的自主创新/自主品牌的建立大有帮助。  

 反射高能电子衍射仪（Reflection High-Energy Electron Diffraction）是观察晶体生长最重要的实时 监测工具。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑 点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。因此反射高能电子衍射仪已成为MBE系统中 监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。 　　R-DEC公司生产的反射式高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以 及拥有高亮度的衍射斑点等特长得到日本国内及海外各研究机构的一致好评和认可。 特长   ◆可远程控制调节电压，束流强度，聚焦位置以及光束偏转 ◆带有安全闭锁装置 ◆镍铁高导磁合金磁屏蔽罩 ◆拥有高亮度衍射斑点 ◆电子枪内表面经特殊处理，能实现极低放气率 ◆经久耐用，稳定可靠 ◆符合欧盟RoHS指令   　　低电流反射高能电子衍射仪（Low Emission Reflection High-Energy Electron Diffraction）是利用微通道板技 术，大幅减少对样品损伤的同时，并且保证明亮反射电子衍射图像的新一代低电流反射高能电子衍射仪。可以用于有机薄膜材料等结晶结构的分析研究。 特长 ◆大幅度减少电子束对样品的损伤 （相当于普通RHEED的1/500-1/2800） ◆带有安全闭锁装置 ◆搭载高亮度微通道板荧光屏 ◆可搭载差动抽气系统 ◆kSA400 RHEED分析系统兼容 ◆符合欧盟RoHS指令

 滨州创元设备机械制造有限公司代理的日本著名高科技研究设备生产厂家R-DEC公司的真实大样品钢中氢含量-温度曲线测定装置HTDS002近日独家中标昨日签约一重天津能源所。该仪器主要用于测量钢中的氢含量，可通过氢分析质谱仪对升温过程中从钢试样中逸出的氢流量进行精确定量地测量，并转化成氢含量从而获得真实大样品钢中氢含量-温度曲线。为轧辊材料以及大型铸锻件焊接组织的氢脆敏感性评价和质量控制提供重要的不可缺少的实验数据。   该装置是日本著名高科技研究设备生产厂家R-DEC公司花费12年时间和世材料领域界著名权威研究机构日本NIMS合作研制成功。继首台设备进入中国北京钢铁研究总院以来,一重作为企业是首次导入该装置。标志着一重在该领域研究装置方面已经迈入世界一流水准。它将成为世界上氢脆研究领域定量测氢标准机。期待着一重天津能源所充分运用好该装置取得更多自主创新研究成果。      该装置主要有如下几个特点 世界上唯一可以测得钢铁材料中氢含量-温度曲线的装置。可以慢速也可以快速加温。日本最新研究表明和高强螺栓氢脆最相关的是结合能低的扩散性氢。也就是低温时候(室温～300℃)从金属中放出的氢. 使得大样品或实际零件定量测氢成为可能φ20mm×50mm 即使大样品或实际零件条件下可以获得定量测氢,精度为0.01wt.ppm，且具有良好再现性 只要保证试样尺寸在φ20mm×50mm以内，不论何种形状均可测定。所以实际工况的环境中取出试样，简单清洗后很快即可进行定量测定。  

  ２０１１年8月29日王道元院长/董事长访问日本著名高科技研究设备生产厂家R-DEC公司。佐佐木社长亲自接待王博士，并介绍公司近期新产品----PICO-RHEED.该产品解决了长期以来困惑材料研究者的无法用RHEED方法分析有机物薄膜的生长过程。因为入射电子束电流太大会损伤有机物薄膜的结构。该公司最近推出的新型PICO-RHEED只使用了非常小的PICO数量级的电子电流.使得damage减少到足够低以至于得到清晰的有机物薄膜的结构图像。该公司RHEED已经在世界上拥有数百名用户，希望创元公司代理的PICO-RHEED为中国材料自主创新贡献力量。

  北京理工大学配有C60的全自动聚焦扫描式微区XPS验收完毕 滨州创元设备机械制造有限公司代理的日美纳米表面分析仪器公司(U-P)的全自动聚焦扫描式微区X射线光电子能谱仪-----PHIQuantera+C60-----近日在北京理工大学验收完毕。标志着该校在XPS分析装置方面迈入世界一流大学水准。该校80年代就导入PHI公司传统的X射线光电子能谱仪PHI5500.由于对PHI公司产品以及售后服务都比较满意。加上PHIQuantera+C60系统在扫描微区方面以及有机物薄膜深度剖析方面明显超越其他竞争对手。受到该校的青睐。目前该校是继清华，宝钢后第3位拥有PHIQuantera。是第2位拥有C60的大陆大学。相信这套系统对该校助燃等领域的研究起到关键作用。预祝他们早日取得新的成果。