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三源超高真空电子束蒸发装置 AEV-3
| 特长 |
-
三源超高真空电子束蒸发装置是在AEV-11的基础上开发设计的三源同时蒸发电子束装置。 - AEV-11支持足够高的温度可以蒸镀 Fe, Co, Bi, Pt, Ag, Mo, Ta, W, etc. 并可以增加坩埚选项，蒸镀钽和钼。
- 三源分别独立存在，可进行三源同时蒸镀。
- 允许用户同时计测三源的独立束流量。
- ICF34法兰方便用户更换样品，不必从真空腔拆解蒸发源本体
| 技术参数 |
- 蒸镀范围： φ20 (Working Distance = 170mm)
- 水冷装置： (冷却水:< 30℃; 1.0L/分)
- 屏蔽装置： 手动挡板
- 温度范围： ～3300℃
- 蒸发速率： 数原子层/分.
- 内置通量检测器 (专用电源装置, AEV-1P-300 可控制蒸发速率)
- 线性运动馈通定位蒸镀样品位置(推进进程 = 30mm）
- 搭载φ70 ICF 法兰 (内径≥φ34)
- 烘烤温度： 200℃以下
- 棒状材料尺寸： φ2mm × L40mm
| 单源超高真空电子束蒸发装置 | 三源超高真空电子束蒸发装置 |
|
[fig.1] 可用AEV-1P300控制沉积速率 |
[fig.2] 利用AEV-1P30将沉积速率控制为φ 0.15 ML.时三源同时沉积数据 |
三源同时沉积时的蒸镀范围： φ10 基板/φ6 从边缘两毫米]
| A (center) | B (+Y) | C (-Y) | D (+X) | E (-X) | |
| NO.1/Pt | θ=0.16 | 0.16 | 0.16 | 0.16 | 0.15 |
| NO.2/Ni | 0.14 | 0.15 | 0.13 | 0.13 | 0.14 |
| NO.3/Ag | 0.14 | 0.15 | 0.14 | 0.15 | 0.15 |
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