仪器种类： 其他
应用领域： 其它
产地类别： 国产
靶材： SiO2
基片尺寸： 4寸（可定制）
基片温度范围： RT-600ºC
成膜厚度均匀性： 均一性<3%
极限真空： <3E-9Torr
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双腔室超高真空双倾角蒸镀系统 QBT-E
技术参数
| QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备) | |
| UHV超高真空腔体 | 2腔室，Loadlock和蒸发，Loadlock极限真空 Ultimate Pressure<1E-8Torr，可加热RT-900oC |
| 蒸发腔 | 极限真空 Ultimate Pressure<3E-9Torr |
| 高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate | ±0.015?，Ф100mm 镀膜均一性<3% |
| 基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制，加热RT-600oC |
| 传输 | 全自动样品传输 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
测试结果展示
保修期: 1年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 有
免费培训: 1. 设备出厂前，提供至少2人一周的设备原厂培训。 2. 设备在现场完成安装调试
免费仪器保养: 有需要可安排
保内维修承诺: 保修期内（除天灾和人为损害外）部件、元件费用、出差费用均由我司承担
报修承诺: 质保期内出现故障时我司将及时响应，并在8小时内派技术人员到现场解决故障；
