QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统
QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统

¥150万 - 200万

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韫茂

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QBT-I

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中国大陆

  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

仪器种类: 热蒸发镀膜机

应用领域: 微电子学

产地类别: 国产

靶材: 铟单质

基片尺寸: 6寸(可定制)

基片温度范围: -10-40℃

成膜厚度均匀性: <3%

极限真空: 极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr

QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统


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产品详情:


上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。


技术参数


QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备)
高真空腔体 HV Chamber2个HV腔室,Loadlock离子束刻蚀及蒸镀,极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr
排气速率Pumping Spead从ATM到8E-7Torr<15min (loadlock)
极限蒸发速率 High Depostion Rate5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性<3%, 大容量坩埚
精准的样品冷却控制 Wafer Cooling-10-40℃ (精度±0.1)
离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性<3%
人机界面 HMI全自动化人机操作界面
安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO


测试结果


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售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 1. 设备出厂前,提供至少2人一周的设备原厂培训。 2. 设备在现场完成安装调试

免费仪器保养: 有需要可安排

保内维修承诺: 保修期内(除天灾和人为损害外)部件、元件费用、出差费用均由我司承担

报修承诺: 质保期内出现故障时我司将及时响应,并在8小时内派技术人员到现场解决故障;

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    548MB 2022-03-17
  • 通过表面工程平衡界面稳定性和锂传递动力学是开发高性能电池材料的关键挑战。尽管通过原子层沉积(ALD)实现的保形涂层在通过最小化电极 - 电解质界面处的副反应来控制循环时的阻抗增加方面显示出很大的前景,但涂层本身通常表现出较差的Li导电性并阻碍表面电荷转移。在这项工作中,我们已经证明,通过仔细控制超薄ZrO的退火后温度++2薄膜由 ALD, Zr 制备4+对于富含Ni的层状氧化物,可以实现表面掺杂,以加速电荷转移,同时提供足够的保护。使用单晶LiNi0.6锰0.2公司0.2O2作为模型材料,我们已经展示了表面Zr4+掺杂与ZrO相结合2涂层可以提高高压运行期间的循环性能和速率能力。通过对原子层沉积表面涂层进行可控的后退火进行表面掺杂,为单晶电池材料开发稳定和导电界面提供了一条有吸引力的途径。+

    1146MB 2022-03-17
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    7506MB 2022-03-11
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