仪器种类： 磁控溅射镀膜机
应用领域： 微电子学
产地类别： 国产
靶材： 钽
基片尺寸： 4寸（可定制）
基片温度范围： RT-900ºC
成膜厚度均匀性： 基板刻蚀均一性<3%
极限真空： 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
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双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P
磁控溅射技术原理
在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。
磁控溅射技术特点
成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜
技术参数
| QBT-P 技术参数 Technical Specifications （超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备） | |
| 超高真空腔体 UHV Chamber | 2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr |
| 排气速率Pumping Spead | 从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock) |
| 基板加热 Wafer Heating | RT-900oC |
| 离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性<3% |
| 磁控溅射Sputtering | DC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
| 基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能力 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
工艺展示
保修期: 1年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 有
免费培训: 1. 设备出厂前，提供至少2人一周的设备原厂培训。 2. 设备在现场完成安装调试
免费仪器保养: 有需要可安排
保内维修承诺: 保修期内（除天灾和人为损害外）部件、元件费用、出差费用均由我司承担
报修承诺: 质保期内出现故障时我司将及时响应，并在8小时内派技术人员到现场解决故障；
QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统
型号：QBT-I 150万 - 200万
桌面型原子层沉积系统ALD
型号：Mini Desktop ALD 50万
粉末式原子层沉积 GM1000
型号：GM10/100/1000 100万 - 200万
双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T
型号：QBT-T 100万 - 200万为了提高羰基铁粉的抗腐蚀能力及改善其电磁性能, 以 TMA 和 H2O 为前驱体, 利用原子层沉积(ALD)方法 对羰基铁粉进行表面包覆改性, 在羰基铁粉表面包覆不同厚度的氧化铝。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、 综合热分析仪(TGA)、红外光谱(FTIR)和矢量网络分析仪等技术手段系统分析了改性前后羰基铁粉性能指标。结果 表明, 通过 ALD 方法可在羰基铁粉表面生长纳米级别具有良好保型的氧化铝薄膜, 形成了极佳的羰基铁/氧化铝壳 层结构复合材料。与原样品相比, 包覆改性后的羰基铁粉热稳定性与抗腐蚀性有极大的提高, 且随着包覆厚度的增 加, 抗氧化能力增强, 最大抗氧化温度可超过 550℃。同时羰基
通过表面工程平衡界面稳定性和锂传递动力学是开发高性能电池材料的关键挑战。尽管通过原子层沉积（ALD）实现的保形涂层在通过最小化电极 - 电解质界面处的副反应来控制循环时的阻抗增加方面显示出很大的前景，但涂层本身通常表现出较差的Li导电性并阻碍表面电荷转移。在这项工作中，我们已经证明，通过仔细控制超薄ZrO的退火后温度++2薄膜由 ALD， Zr 制备4+对于富含Ni的层状氧化物，可以实现表面掺杂，以加速电荷转移，同时提供足够的保护。使用单晶LiNi0.6锰0.2公司0.2O2作为模型材料，我们已经展示了表面Zr4+掺杂与ZrO相结合2涂层可以提高高压运行期间的循环性能和速率能力。通过对原子层沉积表面涂层进行可控的后退火进行表面掺杂，为单晶电池材料开发稳定和导电界面提供了一条有吸引力的途径。+
在全固态电池(ASSB)中，具有电化学机械兼容微结构的单晶LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(S-NCM811)电化学性能优于多晶NCM811的电化学性能。然而，正极/固态电解质（SSE）界面上的不良副反应导致ASSB容量和倍率性能低于锂离子电池，限制了S-NCM811在ASSB中的实际应用。在此，本文通过在S-NCM811表面进行修饰，实现了高的容量（205mAh g-1,0.1C）和出色的倍率性能（0.3C时为175mAh g-1，1C时为116mAhg-1）。通过原子层沉积技术与退火处理相结合，在S-NCM811表面包覆了一层纳米锂铌氧化物(LNO)层。纳米LNO层有效地抑制了硫化物SSE的分解并稳定了正极/SSE界面。与原始材料相比，LNO层在400°C的退火过程中提高了涂层的均匀性，消除了残留的锂盐，并使得循环过程中的阻抗增加减小，电化学极化也减小。这项工作突出了ASSB中退火纳米LNO层在高镍正极应用中的关键作用。
