天眼查显示,北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室”的专利,授权公告号为CN111863702B,授权公告日为2024年7月23日,申请日为2020年7月30日。
背景技术
图形化衬底技术(Patterned Sapphire Substrates,PSS)是目前普遍采用的一种提高氮化镓(GaN)基LED器件出光效率的方法,也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜,用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形,利用电感耦合等离子体Inductively CoupledPlasma,ICP)刻蚀技术刻蚀蓝宝石,并去掉掩膜,再在其上生长GaN材料,使GaN材料的纵向外延变为横向外延。该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度,从而减小了有源区的非辐射复合,减小了反向漏电流,提高了LED的寿命。有源区发出的光,经由GaN和蓝宝石衬底界面多次散射,改变了全反射光的出射角,从而提高了光的提取效率。
现有技术中,通常采用包括托盘主体和盖板的盖板托盘组件进行PSS工艺,其中,托盘主体具有放置晶片的晶片槽,盖板底部具有压爪,压爪用于固定晶片,防止晶片由于背氦的吹里作用而发生移动。而对于圆锥形的PSS工艺,其参数指标通常要求高度为1.75~1.85um(微米),底宽为2.7~2.85um,边缘0.5以内不黏连。但是,采用现有的托盘及PPS工艺,得到的图形在晶片压爪区域经常发生底部黏连的现象,导致底宽(底宽>=3.0um)过大,靠近压爪边缘图形对称性很差(两边分别距中线的距离相差约800nm,两段距离差越大对称性越差),出现外延雾化现象等,从而造成了较大的边缘形貌问题。
鉴于此,亟需一种新的盖板托盘组件以改善上述PSS工艺后出现的晶片边缘形貌问题。
发明内容
本发明提供一种盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室,包括:托盘主体、盖板及中间介质,其中:托盘主体用于承载晶片;盖板设置于托盘主体上,在盖板上设置有压合部,压合部与晶片的边缘接触;中间介质设置于托盘主体与盖板之间,且中间介质的上表面和下表面分别与盖板和托盘主体接触,用于使托盘主体与盖板之间形成一空间,以能够降低压合部与晶片之间的电势差。应用本申请,可以降低压合部上表面与晶片上表面的鞘层电势差,从而降低压合部和晶片的连接处形成的电场偏转程度,避免造成现有技术中晶片压爪区域发生底部黏连,导致底宽过大、靠近压爪边缘图形对称性差等,继而有效改善了PPS工艺过程中的边缘形貌问题。
[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载
2024.08.16
2024.08.19
2024.08.19
设备担重任,创芯闯征程-第十二届半导体设备与核心部件展示会9月底将于无锡开幕
2024.08.19
2024.08.18
2024.08.16
版权与免责声明:
① 凡本网注明"来源:仪器信息网"的所有作品,版权均属于仪器信息网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪器信息网"。违者本网将追究相关法律责任。
② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。
③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为默认仪器信息网有权转载。
谢谢您的赞赏,您的鼓励是我前进的动力~
打赏失败了~
评论成功+4积分
评论成功,积分获取达到限制
投票成功~
投票失败了~