北方华创“盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室”专利获授权

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室”的专利，授权公告号为CN111863702B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2020年7月30日。

背景技术

图形化衬底技术(Patterned Sapphire Substrates，PSS)是目前普遍采用的一种提高氮化镓(GaN)基LED器件出光效率的方法，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用电感耦合等离子体Inductively CoupledPlasma，ICP)刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小了有源区的非辐射复合，减小了反向漏电流，提高了LED的寿命。有源区发出的光，经由GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，从而提高了光的提取效率。

现有技术中，通常采用包括托盘主体和盖板的盖板托盘组件进行PSS工艺，其中，托盘主体具有放置晶片的晶片槽，盖板底部具有压爪，压爪用于固定晶片，防止晶片由于背氦的吹里作用而发生移动。而对于圆锥形的PSS工艺，其参数指标通常要求高度为1.75～1.85um(微米)，底宽为2.7～2.85um，边缘0.5以内不黏连。但是，采用现有的托盘及PPS工艺，得到的图形在晶片压爪区域经常发生底部黏连的现象，导致底宽(底宽>＝3.0um)过大，靠近压爪边缘图形对称性很差(两边分别距中线的距离相差约800nm，两段距离差越大对称性越差)，出现外延雾化现象等，从而造成了较大的边缘形貌问题。

鉴于此，亟需一种新的盖板托盘组件以改善上述PSS工艺后出现的晶片边缘形貌问题。

发明内容

本发明提供一种盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：托盘主体用于承载晶片；盖板设置于托盘主体上，在盖板上设置有压合部，压合部与晶片的边缘接触；中间介质设置于托盘主体与盖板之间，且中间介质的上表面和下表面分别与盖板和托盘主体接触，用于使托盘主体与盖板之间形成一空间，以能够降低压合部与晶片之间的电势差。应用本申请，可以降低压合部上表面与晶片上表面的鞘层电势差，从而降低压合部和晶片的连接处形成的电场偏转程度，避免造成现有技术中晶片压爪区域发生底部黏连，导致底宽过大、靠近压爪边缘图形对称性差等，继而有效改善了PPS工艺过程中的边缘形貌问题。