北方华创“一种集成电路的制造工艺”专利获授权

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“一种集成电路的制造工艺”的专利，授权公告号为CN113506731B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2016年10月8日。

背景技术

在集成电路制造工艺领域，目前通常使用硅基材料制造集成电路，硅 (或者多晶硅)在空气中放置的情况下表面会自然氧化形成一层致密的二氧化硅(SiO2)层。在有些工艺中，例如，在金属硅化物(Silicide) 工艺中，金属镍铂(NiPt)薄膜要与硅衬底直接接触，如果衬底表面有一层 SiO2，则会增加电阻率，影响器件性能，因此，制造后续工艺前需要去除这层SiO2。而在去除这层SiO2的同时，必须保护其他薄膜/结构不能被去除或者损伤，隔离层(Spacer，由氮化硅(Si3N4)材料制成)的线宽尺寸会影响器件电性，如漏电(leakage)增加等。因此，需要在去除 SiO2的同时尽量保持隔离层(Spacer，Si3N4)不被去除。

现有工艺多采用湿法刻蚀、等离子体干法刻蚀等方法去除SiO2，其对Si3N4的刻蚀选择比低，对隔离层去除过多，造成隔离层尺寸缩小，增大漏电，从而影响器件性能。

因此，有必要开发一种应用于集成电路制造工艺中的高选择比、高效率的去除晶片上的二氧化硅的方法。

公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

公开了一种集成电路的制造工艺，包括：去除晶片上的二氧化硅的方法，该方法可包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比；以及将所述反应的副产物从所述工艺腔室内抽出。根据本发明的集成电路的制造工艺中，去除晶片上的二氧化硅的方法通过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反应，并在反应后将反应产物抽出，实现高选择比、高效率地去除二氧化硅。