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核心参数
刻蚀原理： 等离子体刻蚀
产地类别： 进口
刻蚀原理： 搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源
刻蚀速率： 1um
刻蚀剖面： 6寸
选择比： 1:20
均匀性： ±5%
残留物： 1%
宽深比： 1:20
等离子沉积设备SI 500 D
高密度等离子体
SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。
平行板ICP等离子体源
SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。
优异的沉积性能
低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。
动态温度控制
动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。
SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。
SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。
SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。
SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。
SI 500 D
· ICPECVD等离子沉积设备
· 带预真空室
· 适用于200mm的晶片
· 衬底温度从室温到350?°C
· 激光终点检测
· 备选电极偏置
等离子体刻蚀SI 500 D的工作原理介绍
等离子体刻蚀SI 500 D的使用方法?
SI 500 D多少钱一台?
等离子体刻蚀SI 500 D可以检测什么？
等离子体刻蚀SI 500 D使用的注意事项？
SI 500 D的说明书有吗？
等离子体刻蚀SI 500 D的操作规程有吗？
等离子体刻蚀SI 500 D报价含票含运吗？
SI 500 D有现货吗？
企业名称
北京亚科晨旭科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
110105009081828
成立日期
2005-11-28
注册资本
500
经营范围
技术推广；市场调查；经济贸易咨询；展览服务；组织文化艺术交流活动（不含演出）；货物进出口、技术进出口、代理进出口；销售机械设备、五金交电及电子产品、矿产品、建材及化工产品（不含危险化学品）。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
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