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核心参数
刻蚀原理： 等离子体刻蚀
产地类别： 进口
刻蚀原理： 搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源
刻蚀速率： 1um
刻蚀剖面： 6寸
选择比： 1:20
均匀性： ±5%
残留物： 1%
宽深比： 1:20
批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300
批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm，300mm尺寸晶圆。
产品特性 / Product characteristics
• 高产率以及低CoO
• 良好的刻蚀均一性（小于±5%/批）和再现性
• 干法刻蚀
• Damage-Free（远端等离子、低温工艺）
• 自对准接触电阻仅为湿法的1/2
• 灵活的装置布局
• 高维护性（方便的侧面维护）
• 300mm晶圆批处理：50枚/批
产品应用 / Product application
• 自对准接触形成工艺前处理
• 电镀工艺前处理
• 晶膜生长前处理
• Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理
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企业名称
北京亚科晨旭科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
110105009081828
成立日期
2005-11-28
注册资本
500
经营范围
技术推广；市场调查；经济贸易咨询；展览服务；组织文化艺术交流活动（不含演出）；货物进出口、技术进出口、代理进出口；销售机械设备、五金交电及电子产品、矿产品、建材及化工产品（不含危险化学品）。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
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