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核心参数
清洗方法： 湿法清洗
产地类别： 进口
设备类型： 单晶圆清洗
晶圆尺寸： 4-12
相关技术： 融合和混合键合系统
尺寸： 2400*4720*2555
适用制程、应用范围： 在Co-D2W结合,多个模具转移到最终的晶片在一个处理步骤。
产能： 150/H
EVG®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System
EVG®810LT LowTemp™等离子激活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中最快的动力学
无需湿工艺
低温退火（最高400°C）下的最高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板粘接
高度的材料兼容性（包括CMOS）
EVG810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10-2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
硅/氮化硅
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
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企业名称
北京亚科晨旭科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
110105009081828
成立日期
2005-11-28
注册资本
500
经营范围
技术推广；市场调查；经济贸易咨询；展览服务；组织文化艺术交流活动（不含演出）；货物进出口、技术进出口、代理进出口；销售机械设备、五金交电及电子产品、矿产品、建材及化工产品（不含危险化学品）。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
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