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安捷伦科技(中国)有限公司
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解决方案
使用 Agilent 7900 ICP-MS 测定高纯石英砂中的痕量杂质元素
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
痕量杂质元素高纯石英砂作为一种重要的新材料，广泛应用于集成电路、半导体芯片、光伏、光纤等高端制造行业中。其中，半导体和光伏是对高纯石英砂需求最大的两个行业。高纯石英砂在光伏行业中主要用于制作石英坩埚，在半导体行业中主要用于晶圆生产中的扩散和刻蚀工艺设备部件。
共2台
安捷伦半导体行业解决方案
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质作为全球半导体领域的先锋，安捷伦积累了大量创新技术和卓越的服务能力。在半导体产业链 的制程监测、原材料质控、无机杂质、纳米颗粒、有机杂质检测、符合环境健康和安全法规需 求以及真空检漏等方面，都能够为您提供优异的分析仪器、软件、服务和支持，助您取得成功。
共6台
安捷伦半导体无机元素分析概览
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质ICP-MS 作为一种金属元素分析仪器应用于半导体产业链，始于 20 世纪 80 年代。随着半导体制程的不断迭代，整个行业对 ICP-MS 的性能提出了越来越高的要求。过去 30 年来，位于日本东京的安捷伦 ICP-MS 全球研发中心与半导体产业链端客户密切合作，引领着 ICP-MS 在全球半导体产业链中的应用不断创新。
共2台
使用 spICP-MS/MS 对半导体制程化学品进行多元素纳米颗粒分析
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS，在多元素 spICP-MS 模式下，对 1% TMAH 中的多元素纳米颗粒进行了测定和表征。对于半导体级化学品中的多元素 NP 分析，MS/MS 方法可实现低背景、高灵敏度和干扰控制。使用专门开发的快速多元素纳米颗粒分析软件，在一次样品采集中获得 Ag、Al2O3、Fe3O4、Au 和 SiO2 NP 的多元素数据并组合到一个结果表中。该表格提供关于含各种实测元素的纳米颗粒的全面信息。结果表明，在溶液中含有大颗粒（如200 nm SiO2 NP）的情况下仍可测量小颗粒（如 30 nm Fe3O4NP）。1% TMAH 溶液中的 Al2O3和 SiO2 NP 的粒径和颗粒浓度在 10 小时内稳定不变，而 Fe3O4和 Ag NP 的颗粒浓度随时间逐渐减小。这一结果表明，TMAH 溶液中的 Fe3O4和 Ag NP 应在配制好后尽快测量。1% TMAH 中 Fe3O4 NP 的粒径稳定不变，而 NP 浓度随时间的变化还需要进一步的研究。本研究表明，利用 spICP-MS 能够快速准确地测定含有由不同和/或多种元素组成的纳米颗粒的样品。与针对每种 NP 分别采集数据相比，快速多元素纳米颗粒分析软件简化了分析方法并将样品运行时间缩短了 7 分钟。测量的元素越多，节省的时间也就越多。
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使用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 在冷等离子体反应池模式下测量超纯水中的超痕量钾及其他元素
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+的存在，其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下，采用 NH3作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的39K 的 BEC 为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势，其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池，从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此，Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq，所有其他元素（包括Ca、Fe 和 Ni）的 BEC < 150 ppq。
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采用表面金属提取电感耦合等离子体质谱(SME-ICP-MS) 表征硅片表面的金属污染物
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质SME-ICP-MS 技术为硅片表面的痕量金属表征提供了一种灵敏且准确的方法。可在不到 20 分钟的时间内实现对硅片的前处理和分析，为生产质量评估提供实时数据。使用 STS 条件可基本消除采用 ICP-MS 分析SME 液滴基质时的潜在物理干扰。将此功能与软提取操作模式相结合，可使检测能力超过国家技术路线图2009 年针对 450 mm 晶圆所规定的要求。
共1台
利用 Agilent 7700s/7900 ICP-MS 对三氯硅烷进行痕量元素分析
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质三氯硅烷经过安捷伦开发的样品前处理方法，然后采用 Agilent 7700s ICP-MS 成功得到分析。ORS 池显著提高了 He 碰撞池性能，在 m/z 31 处直接测定磷可获得 0.1 ppb 的检测限。加标回收率测试证明了样品前处理和分析方法对包括硼在内的所有元素均有效。TCS 的分析能力可让 PV 硅制造商在制造 PV 硅之前检查 TCS 中间产物的金属杂质。
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使用 Agilent 8800 三重四极杆 ICP-MS 提高 ICP-MS 方法对高纯硅样品中磷和钛的检测性能
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质Agilent 8800 ICP-MS/MS（采用 MS/MS 模式）可以准确、高效地测定不同浓度（30 ppm 和 2000 ppm）高纯硅基质中的 P、Ti 和其他痕量元素。所有元素的 BEC 和 DL 都非常低，MS/MS 模式可以确保将目标产物离子与其他分析物生成的潜在干扰产物离子分离。这是 8800 ICP-MS/MS 的 MS/MS 模式所独有的功能。即使在使用超低流量雾化器的条件下，仍然可以获得优异的灵敏度和超低的检测限，对于 2000 ppm Si 基质样品可连续测定超过 3 小时，表明仪器具有出色的信号稳定性。
共1台
使用 Agilent 7500cs ICP-MS 直接分析光刻胶及相关溶剂
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰，否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中，只需用合适的溶剂将光刻胶样品（30% 树脂）稀释10 倍，然后即可利用 7500cs 直接进行分析
共1台
使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析NMP中痕量的硫、磷、硅和氯
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质S、P、Si 和 Cl 对四级杆 ICP-MS 分析都是极具挑战性的元素，而对 NMP 这样的有机基质，这些元素的检测会更加困难。使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪，在其独特的 MS/MS 模式下采用质量转移方法，对所有分析物都获得了很低的 BEC，充分展示了 ICP-MS/MS 在应对 ICP-MS 领域最具挑战的应用中表现出的灵活性和优越的性能。
共1台
使用 ICP-MS/MS 对半导体级过氧化氢和去离子水进行自动化分析
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质在本研究中，利用配备 ESI prepFAST S 自动化样品引入系统的 Agilent 8900 ICP-MS/MS 开发出一种对去离子 (DI) 水和 H2O2 中的超痕量元素杂质进行定量分析的自动化程序。prepFAST S 自动完成样品前处理和校准，可节省时间并最大程度减小手动样品处理操作引起样品污染的风险。
共1台
采用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪对超纯水中的钙进行超痕量检测
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质在冷等离子体模式下形成的、等离子体衍生的多原子离子NO+，可通过电荷转移反应在反应池中产生少量的 Ar+，在m/z = 40 处干扰 Ca 的测定。Agilent 8800 ICP-MS/MS 在 ICP-MS/MS 特有的 MS/MS 模式下运行，可以阻止等离子体衍生离子进入反应池，防止多余反应的发生。这可以使 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪在检测UPW 中的 Ca 时实现 41 ppq 的 BEC
共1台
使用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 在冷等离子体反应池模式下测量超纯水中的超痕量钾及其他元素
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+ 的存在，其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下，采用 NH3 作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的 39K 的 BEC为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势，其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池，从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此，Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq，所有其他元素（包括Ca、Fe 和 Ni）的 BEC < 150 ppq。
共1台
使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 测定超低含量的磷、硫、硅和氯
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质Agilent 8900 ICP-MS/MS 采用 O2 和 H2 池气体 的 MS/MS 模式分析，成功解决了超纯水中非金属杂质 P、S、Si 和 Cl 以及 H2O2 中非金属杂质 P、S 和 Si 的光谱干扰问题。该分析结果体现了第二代 ICP-MS/MS 对挑战性元素的超强分析性能，实现了超纯水中四种元素分析截至目前报道过的最低 BEC。
共1台
使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 在MS/MS 模式下测定超纯半导体级硫酸中的痕量元素
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质使用 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS，成功测定了半导体级 H2SO4 中超痕量水平下的 42 种元素。1/10 稀释的 H2SO4 中，20 ppt 水平（Si 为 2 ppb）下的所有元素均获得了优异的加标回收率，证明8900 ICP-MS/MS 方法适用于高纯度工艺化学品的常规分析。
使用 ICP-MS/MS 在 MS/MS 模式下采用适当反应池气体条件，避免了质谱干扰问题的出现，这些干扰会阻碍 ICP-QMS 对某些关键元素的测量。8900 ICP-MS/MS 的轴向加速功能明显提高了测定 Ti、Zn 和 P 等原子所需的子离子灵敏度。9.8% H2SO4中的几乎所有分析物均获得了亚 ppt 级 DL 和 BEC。
共1台
使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪测定 20% 甲醇中的硅、磷和硫
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质与常规四极杆 ICP-MS 系统相比，使用Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪检测有机基质中挑战性的元素硅、磷和硫具有明显的消干扰和灵敏度优势。8800 通过 MS/MS 模式实现了上述优异性能，其中第一个四极杆只允许分析物离子和其它具有相同质荷比的干扰离子通过。通过排除全部非目标质量数，使池内的反应化学高度受控并且保持一致，实现高效并可预测的干扰消除。Q1 还能排除与分析物质量数不同但可能对分析物池内反应产物离子产生重叠干扰的所有离子，从而大大改善了使用质量数偏移的反应气模式的准确度和可靠性。另外，8800 的高灵敏度和低背景使检出限比四极杆 ICP-MS 更好，即使是在单四极杆模式下操作亦是如此。
共1台
使用 ICP-MS/MS 分析高纯盐酸中的痕量金属杂质
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质Agilent 8900 半导体配置ICP-MS/MS 具有灵活的反应池气体支持、独特的 MS/MS 功能和无与伦比的冷等离子体性能，进一步提高了高纯酸中各种痕量金属污染物分析的检测限。8900 ICP-MS/MS 支持的高级反应池方法允许测定氯化物基质中浓度比以往更低的 SEMI 元素，包括可能有基质干扰的元素，如K、V、Cr、Ge 和 As。
共1台
使用 ICP-MS/MS 直接分析高纯硝酸中的痕量金属杂质
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质在 MS/MS 模式下运行的 Agilent 8900 ICP-MS/MS 能够提供高纯度硝酸中超痕量元素分析所需的灵敏度、低背景以及对干扰物质的无与伦比的控制。本研究测定了未稀释的高纯 68% HNO3 中亚 ppt 至 ppt 水平的49 种元素。0–40 ppt 之间所有元素的校准曲线都呈线性。高纯 68% HNO3 中的 SEMI 规定元素可在几个 ppt 或亚 ppt 浓度下定量。在持续 6.5 小时的未稀释高纯 68% HNO3 序列中，除P 和 S 之外的所有元素在 30 ppt 加标浓度下的重现性结果为0.4%–5.5% RSD。
该结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 适用于高纯度半导体级试剂和制程化学品的常规分析。
共1台
使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 测定高纯度过氧化氢中的超痕量元素
应用领域
半导体检测样品
集成电路检测项目
化学性质采用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 可使多种元素（包括 SEMI C30-1110 中规定的所有元素以及其他痕量元素）在高纯 35% 过氧化氢中均以亚 ppt 至ppt 级测出。在 0 ppt 至 50 ppt 浓度范围获得了出色的线性校准曲线。几乎所有元素均获得了亚 ppt 级定量结果，其余元素具有几个 ppt 的检测限（除Si 以外，其检测限为 25 ppt）。在持续 3 小时40 分钟的高纯 35% 过氧化氢样品分析序列中，加标分析物在 10 ppt（S 为 100 ppt）浓度下获得了 1.0%–8.1% RSD 的重现性。结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 仪器适用于高纯半导体级试剂和制程化学品的常规分析
共1台
使用 Agilent 8800 三重四极杆 ICP-MS 分析高纯硅样品中的 Co 元素
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
Co 元素Agilent 8800 ICP-MS/MS（采用 MS/MS 模式）可以准确、高效地测定不同浓度（30 ppm 和 2000 ppm）高纯硅基质中的 P、Ti 和其他痕量元素。所有元素的 BEC 和 DL都非常低，MS/MS 模式可以确保将目标产物离子与其他分析物生成的潜在干扰产物离子分离。这是 8800 ICP-MS/MS 的 MS/MS 模式所独有的功能。即使在使用超低流量雾化器的条件下，仍然可以获得优异的灵敏度和超低的检测限，对于 2000 ppm Si 基质样品可连续测定超过 3 小时，表明仪器具有出色的信号稳定性。
共1台
使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的硫
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
痕量的硫N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)，化学分子式为 C5H9NO，是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂，广泛应用于制药、石化、高分子科学，特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂，以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属（和非金属）污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言，测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度，与此同时，由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号（计为背景等效浓度，BEC）使这一痕量检测更加雪上加霜。
电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下，测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
共1台
使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的氯
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
痕量的氯N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)，化学分子式为 C5H9NO，是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂，广泛应用于制药、石化、高分子科学，特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂，以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属（和非金属）污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言，测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度，与此同时，由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号（计为背景等效浓度，BEC）使这一痕量检测更加雪上加霜。
电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下，测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
共1台
使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的硅
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
痕量的硅N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)，化学分子式为 C5H9NO，是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂，广泛应用于制药、石化、高分子科学，特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂，以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属（和非金属）污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言，测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度，与此同时，由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号（计为背景等效浓度，BEC）使这一痕量检测更加雪上加霜。
电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下，测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
共1台
使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的磷
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
痕量的磷N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)，化学分子式为 C5H9NO，是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂，广泛应用于制药、石化、高分子科学，特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂，以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属（和非金属）污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言，测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度，与此同时，由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号（计为背景等效浓度，BEC）使这一痕量检测更加雪上加霜。
电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下，测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
共1台
采用 8800 ICP-MS/MS 测定超纯半导体级硫酸中的难分析元素
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
难分析元素近年来碰撞/反应池技术 (CRC) 广泛应用于四极杆 ICP-MS (ICP-QMS)，以消除会对复杂基质中的分析物造成质谱干扰的多原子离子。利用 CRC，可以使半导体级化学品中几乎所有待测元素的背景等效浓度 (BEC) 降低至 ppt 或亚 ppt 水平。但是，某些样品基质中的一些多原子物质非常稳定，或者原始浓度较高，可能无法通过池技术完全消除，因而仍会导致残留质谱干扰问题。在本应用简报中，我们采用 ICP-MS/MS 成功测定了硫酸中以前难以测定的痕量级 Ti 以及其它元素。
共1台
使用微型 ATR FTIR 成像系统在电子和半导体行业中进行无损故障/缺陷分析
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无损故障/缺陷分析电子和半导体行业高度依赖于故障和缺陷分析，以最大程度提高工作效率并缩短昂贵的停机时间。随着技术的不断发展，生产出的设备越来越小巧，而其生产工艺也越来越复杂精细。因存在颗粒物和化学污染物引起的高成本停机对正常生产操作的影响越来越大。任何污染物的出现都需要停止生产过程，同时准确并可靠地表征缺陷、确定污染源并设法补救。最大限度缩短完成这一过程所需的时间， 实际上能够节省数百万美元之多。 安捷伦 Cary 620 化学成像系统利用 FPA（二维矩阵检测器元件，可产生行和列像素）来采集精密组件表面的真实组成图像。
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