北方华创“晶圆卡盘和晶圆加工方法”专利公布

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“晶圆卡盘和晶圆加工方法”专利公布，申请公布日为2024年7月16日，申请公布号为CN118352289A。

背景技术

高分子聚合物在微电子制造中有广泛的应用，例如：聚酰亚胺(PI)是一种综合性能良好的有机高分子材料，耐高温达400℃以上，并具有高绝缘性能，103Hz下的介电常数4.0，属于低介电常数材料，被广泛用于微电子制造领域：1、聚酰亚胺容易与氧气、NaOH等发生化学反应而被刻蚀掉，因此可被用作牺牲层来制备微机械系统(MEMS)中的悬空结构；2、利用聚酰亚胺的绝缘性能可用作电路之间的钝化层，如先进封装中的重新布线(RDL)技术，可将聚酰亚胺光敏改性后光刻制备图案化结构并避免不同电路之间互连；3、利用聚酰亚胺的低介电常数特性，可减少电路中的寄生电容，用于高频电子器件中的线路钝化。再如：光刻胶是一类具有光敏特性的高分子聚合物，在光照下其结构发生改性，可以被显影液剥离(正性光刻胶)或者保留(负性光刻胶)，利用光刻胶的光敏特性可以将光刻板上的图形转移到晶圆上，再通过干法刻蚀或者薄膜生长等工艺将图案固定下来，最后光刻胶需要被去除。

在上述应用中，常常需要等离子体干法刻蚀对高分子聚合物进行处理。例如：采用聚酰亚胺来实现先进封装中的重新布线技术时，需要等离子体干法刻蚀对聚酰亚胺表面进行改性处理，增大粗糙度和亲水性，以保证电镀重新布线金属时药液可以完全浸润整个晶圆；再如：利用光刻胶做干法刻蚀的掩膜后的去除过程中，由于光刻胶经过干法刻蚀后发生改性，难以使用溶剂溶解的方法进行湿法去除，而需要进一步利用等离子体去胶机进行去除。

尤其是在扇出型封装中，晶圆的基底常采用树脂等聚合物制作，进而在制作晶圆的过程中，晶圆容易发生翘曲。当基底有翘曲时，刻蚀过程中的电荷积累引起的放电效应会严重影响刻蚀工艺结果，甚至导致刻蚀工艺停止而失败。

发明内容

本发明提供了一种晶圆卡盘和晶圆加工方法，涉及晶圆的刻蚀技术技术领域，为解决翘曲的晶圆在等离子刻蚀时易放电打火的问题而设计。晶圆卡盘包括边缘卡盘和中心卡盘，边缘卡盘分布在中心卡盘的至少一个径向的外侧，边缘卡盘传动连接有边缘卡盘驱动装置以调节边缘卡盘的高度。本发明提供的晶圆卡盘可以避免晶圆的边缘打火受损。