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核心参数
曝光模式： 投影式
产地类别： 国产
分辨率： .最小线宽＜7nm
光源： 电子束
光源波长： 电子束直径＜1.6nm
光强均匀性： ±0.1
曝光面积： 4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。
技术参数：
1.最小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：5-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
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企业名称
北京亚科晨旭科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
110105009081828
成立日期
2005-11-28
注册资本
500
经营范围
技术推广；市场调查；经济贸易咨询；展览服务；组织文化艺术交流活动（不含演出）；货物进出口、技术进出口、代理进出口；销售机械设备、五金交电及电子产品、矿产品、建材及化工产品（不含危险化学品）。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
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