Electron Beam Lithography System(EBL)

电子束光刻系统

由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。

 采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。

主要特点：

1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪

2.出色的电子束偏转控制技术                                      3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm

4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad

5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

电子束光刻  最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度

20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技术参数：                         1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV

3. 电 子 束 直 径 ： 小 于                2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ)                                    5.拼接精度：20nm(mean+2σ)                                    6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)

7.描电镜分辨率：小于 2nm

超高分辨率的电子束光刻 

技术参数：

加速电压：最高 130keV

单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电

电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm

双热控制，实现超稳定直写能力

光束直径：<1.6nm①

最小线宽：7 nm（在130kV时）

加速电压：130 kV，110 kV或90 kV

载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）

我的特色

?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）

?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸

?无放电电子枪

?光束直径：> 1.6nm

?细线能力：<7nm

?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像

?使用双热控制器实现超稳定的写入能力

I规格

电子发射器/

加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV

最小光束直径/

最小线宽1.6nm / 7.0nm

扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）

矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）

高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻

字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）

20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，

像素数240,000x 240，OO点©矢量扫描（标准）

10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）

最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）

0.0012nm@600pmZfield（可选）

尺寸为4、6、8英寸的工件>（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）

■拼接业纭苏•50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ

重叠精度50nm（3o）@ 600pmZ

CAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）

操作系统Windows