PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备

PICOSUN原子层沉积系统ALD 

PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备

Picosun简介

Picosun是yi家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。

Picosun适应性强其客户包括zui大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球领先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有du特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。

Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引领行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。

Picosundu特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法，并在工业上获得了专利。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有无与伦比的ALD经验，并且为ALD的许多专利做出了贡献。

ALD主要应用：

1.在集成电路上的应用：Fin-FET和HKMG工艺在Si衬底上长高K绝缘层HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；电容器金属电ji；晶体管栅电ji；TSV电镀铜前长阻挡层和种子层；

2.在显示中的应用：在Micro-LED中通过在沟槽中长钝化层来改善光散射性能；在OLED中低温长防水层。

3.在激光器和功率器件的应用：VCSEL侧面长AlN、Al2O3保护层；GaN高频器件T Gate刻蚀后去氧化层并镀上保护层。

4.验证光刻胶性能：第三方实验室或者工厂FA部门，涂胶后通过低温ALD镀yi层很薄的膜来保持住光刻胶的整体形貌，然后通过FIB+TEM等方法来验证光刻胶性能，如果不镀膜直接上FIB或TEM会破坏光刻胶原有的形貌，无法获得准确的结果。

5.其他应用：MEMS/SAW等做高均匀性镀膜，锂电池、医疗等行业等粉末镀膜。

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。

敏捷的设计实现了zui高质量的ALD薄膜沉积以及系统的zui终灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全du立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。

PICOSUN®R-200高级

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。

群集工具，Picoflow™扩散增强剂，卷对卷室，RGA，UHV兼容性，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，用于惰性装载的手套箱集成PICOSUN®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的全球市场领导者，已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。

敏捷的设计实现了zui高质量的ALD薄膜沉积以及zui终的系统灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全du立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学品前体源。高效且获得专利的远程等离子选件可实现金属沉积，而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱，UHV系统，手动和自动装载机，集群工具，粉末仓，卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在yi起，无论您现在或将来的研究领域如何，都可以高效，灵活地进行研究，并获得良好的结果稍后。