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核心参数
产地类别： 国产
4英寸氮化镓厚膜晶片
尺寸： φ100±0.1mm
厚度： 4μm、20μm
电阻率（300K）: N型（非掺杂）＜0.5Ω·cm
2英寸氮化镓厚膜晶片
尺寸： φ50.8±0.1mm
厚度： 4μm、20μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.5Ω·cm
2英寸氮化铝厚膜晶片
尺寸： φ50.8±0.1mm
厚度： 4±1.5μm
导电类型：Semi-Insulating
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2英寸氮化镓自支撑晶片
尺寸： φ50.8±1mm
厚度： 350±25μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm
10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片
尺寸： 10.0×10.5mm2
厚度： 350±25μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm
非极性/半极性氮化镓自支撑晶片
尺寸： （5.0~10.0）×10.0/20.0mm2
厚度： 350±25μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm
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