感应式碳化硅长晶炉

APS系列 感应式碳化硅长晶炉

1、适用于 6 英寸、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长 

 Applicable for 6, 8 inch conductive/HPSI SiC crystal growth 

2、创新的结构设计，提供高纯材料生长能力

 Innovative design provide high purity crystal growth environment 

3、智能的运行 / 监控系统，适于长时间 / 高温 / 低压工艺，拓宽高质量 / 大规模晶体生长窗口 

Smart operation/monitoring system suit for long-time/high-temp/low-pressure process, expanding process window for high quality & mass production crystal growth 

4、包含多款辅助设备：大产能原料合成炉、晶锭退火炉、氮化铝长晶炉及 其他定制化设备 

Including accessory equipment, powder synthesis furnace, ingot annealing furnace, AlN crystal growing furnace & customized equipment

技术参数 Technical Parameters

1、晶体尺寸 6、8 英寸

2、加热方式 感应加热

3、适用材料 碳化硅、氮化铝

4、适用工艺 物理气相输运法（PVT 法）

5、适用领域 科研、化合物半导体