¥100万 - 150万
Quantum Design
暂无样本
LFZ-2KW
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亚洲
产地类别： 进口
可生长晶体： 适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。
单晶炉生长时间/炉： NA
硅单晶等径长度： NA
生长晶体的直径范围： 8mm（具体取决于材料及实验条件）
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| Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！ 应用领域 可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。 |
激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：
● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀
● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力
● 采用了特的实时温度集成控制系统
RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物
新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数：
| 加热控制 | 加热类型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW | |
| 熔区温度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 温度稳定性 | +/-1℃ | |
| 晶体生长控制 | 晶体生长设计长度可达 | 150mm* |
| 晶体生长设计直径可达 | 8mm* | |
| 晶体生长速度/转速可达 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 样品腔可施加压力可达 | 10bar | |
| 样品腔气氛 | 多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配 | |
| 晶体生长监控 | 高清摄像头 | |
| 晶体生长控制 | PC控制 |
*具体取决于材料及实验条件
应用案例
采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例：
Ruby |
Dy2Ti2O7 |
BaTiO3 |
Sr2RuO4 |
SmB6 |
Ba2Co2Fe12O22 |
Y3Fe5O12 |
* 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用户单位
东京大学
日本国立材料研究所
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 初次安装培训
免费仪器保养: QD中国工程师会依据使用情况定期回访用户、给予维护建议，保障设备良好运转。
保内维修承诺: 免费维修或更换零件；本地储备货值超过50万美元的备件，迅速响应故障诊断和维修。
报修承诺: QD中国承担中国区本地售后服务工作，专业、迅速解决用户在仪器使用过程中的问题。
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