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1. 产品概述
提供深硅蚀刻(DSiE)领域的MEMS,封装和纳米技术的广泛应用,从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀,不需要更换腔室硬件就可以实现。
2. 设备特点
光滑侧壁工艺;
高刻蚀速率腔刻蚀;
高深宽比工艺;
锥形通孔刻蚀;
机械或静电压盘,加热内衬;
延长了两次清洗间的平均时间间隔(MTBC)环形激光陀螺反射镜;
X射线光学系统;
红外(IR)传感器;
II-VI族材料,通信滤波器。
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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