截面抛光

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截面抛光相关的耗材

  • 吉致电子JEEZ铜抛光液/合金铜抛光液/铜表面抛光液/金属研磨液/镜面抛光液
    产品名称:铜抛光液/合金铜抛光液/铜表面抛光液/金属研磨液/镜面抛光液合金铜CMP抛光液作用:吉致电子金属类抛光液适用于平面形态的铜、合金铜工件的镜面抛光,CMP抛光工序通过大量磨擦和化学反应作用,可以使铜金属表面得到加工和平整坦化。化学氧化铜金属后磨蚀性去除氧化物部分的机制可得到理想镜面效果,工件表面光滑平整具有易清洗、无残留等特点。吉致可提供铜/合金铜金属的镜面抛光液1、微米/纳米级抛光液,抛光后具有均匀镜面效果2、磨料颗粒呈悬浮状态,不易分散沉淀,提高CMP效率和稳定性3、铜专用抛光液磨料硬度高、稳定性好、化学惰性强*可以依客户不同工艺要求,提供定制化服务*提供全套解决方案,及免费安排工程师上门服务李女士17706168670
  • 吉致电子JEEZ钼抛光液/金属钼抛光/激光反射镜抛光液/CMP研磨液/镜面抛光液
    产品名称:钼抛光液/金属钼抛光/激光反射镜抛光液/CMP研磨液/镜面抛光液金属钼片抛光液作用:吉致电子金属类抛光液适用于平面形态的钼、钼合金工件的镜面抛光,CMP抛光工序通过大量磨擦和化学反应作用,可以使钼金属表面快速去粗和平整坦化。化学氧化腐蚀钼合金表面,研磨去除氧化物部分的机制可得到理想镜面效果,金属钼工件表面光滑平整具有易清洗、无残留等特点。吉致可提供钼片/金属钼的镜面抛光液1、微米/纳米级抛光液,抛光后具有均匀镜面效果2、磨料颗粒呈悬浮状态,不易分散沉淀,提高CMP效率和稳定性3、钼片专用抛光液磨料硬度高、稳定性好、化学惰性强,吉致电子金属钼抛光液可用于钢铁、化工、电子、航天、光学领域的钼片加工,达到优良的表面平坦度,抛光速率快、表面均一无缺陷。*可以依客户不同工艺要求,提供定制化服务*提供全套解决方案,及免费安排工程师上门服务
  • 吉致电子JEEZ阻尼布抛光垫/碳化硅精抛垫/Politex抛光垫FUJIBO抛光垫替代/绒面抛光垫
    产品分类:吉致电子抛光垫产品名称:阻尼布抛光垫/碳化硅SIC精抛垫/Politex抛光垫FUJIBO抛光垫替代产品特点:吉致电子抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求,针对碳化硅SIC抛光的4道工艺制程搭配不同型号抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。产品工艺及用途:柔软表面与特殊微孔洞结构,适用于碳化硅SIC衬底、各类晶圆、IC制造等CMP工艺高精细、高平坦化的制程。具有缓冲与晶背保护的效果。吉致电子碳化硅抛光垫价格:吉致电子抛光垫生产引进国外技术,可以媲美进口抛光垫PAD/阻尼布抛光垫产品(Politex/Fujiba/SUBA/环球等国产替代)品质稳定。选择吉致电子抛光垫产品,价格美丽,比进口抛光垫/精抛垫便宜,交货期稳定,性价比更高!

截面抛光相关的仪器

  • 氩离子截面抛光仪 (Cross Section Polisher,简称CP),凝聚了日本电子科技人员多年的梦想与实践,是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域变革性创新发明。自2004年日本电子发明该仪器以来,在全世界迅速普及。用CP切割截面的方法甚至已经成为一种加工方法-CP法被定义下来,在很多论文里度可以查到。氩离子截面抛光仪顾名思义是使用氩离子束轰击样品表面进行样品加工,用其他方法难以制备的样品,软硬材质混合的复合材料,都能够制备出完美光滑的截面。除了表面极为平整外,被加工区域变形小、损伤小、无异物介入、结构无破坏是其主要特点。2017年1月JEOL推出新一代可监控智能化加工产品,型号IB-19530CP,加工质量和方便性大大提高。
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  • 【Gatan】697 Ilion II Datasheet 宽束氩离子抛光系统 品牌: GATAN 名称型号:氩离子抛光系统Ilion II 697制造商: GATAN公司经销商:欧波同有限公司产品综合介绍 产品功能介绍氩离子抛光系统是一个用于样品的截面制备及平面抛光的桌面型制样设备,以便样品在SEM及其它设备上进行检测分析。可利用IlionII进行抛光加工的材料种类十分广泛,包括由多元素组成的试样,以及具有不同的机械硬度、尺寸和物理特性的合金、半导体材料、聚合物和矿物等。如焊缝截面,集成电路焊点,多层薄膜截面,颗粒、纤维断面,复合材料、陶瓷、金属及合金、岩石矿物及其他无机非金属等各种材料的SEM、EBSD样品。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商,其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学,能源科学等领域, 客户范围涵盖全球的科研院所,高校,各类检测机构及大型工业企业实验室,并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商,是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业,总部位于香港,分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴,公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念,与蔡司,Gatan品牌强强联合,正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。 产品主要技术特点氩离子抛光系统采用两支具有低能聚集的小型潘宁离子枪,可提供快速柔和的抛光效果。低至100eV的离子束提供更柔和的抛削效果,用于样品的终极抛光。新型低能聚焦电极使得离子束的直径在几乎整个加速电压范围内都保持恒定。每个枪都可准确独立地将离子束对中在样品上,从而产生极高的离子抛光速率。在操作过程中,可随时改变枪的角度。通过控制气体流量可将枪电流变化范围控制在0~100mA之间。在触摸屏上通过手动或者自动方式调节气体流量使每个枪的工作电流得到最优化。 集成的10英寸彩色触摸屏计算机可对Ilion II的所有操作参数进行完全控制。此界面不仅可以设定所有参数并能够监控抛光过程。所有的操作参数还可以存为配方,调用配方可获得高精度重复实验。 涡轮分子泵搭配两级隔膜泵保证了超洁净环境。Gatan专利的气动控制Whisperlock技术能实现快速样品交换( 1分钟),省去了换样过程中必须完全泄真空至大气的烦恼。1. 气锁装置实现快速样品交换、始终保持洁净的高真空状态2. 10英寸触摸屏可对系统进行完全控制与监测3. 配方模式的控制界面,用于一键操作4. 质量流量控制器提供精确和可重复的氩离子电流的控制5. 枪电压范围为100V到8000V的三元(阴极、阳极与聚焦极)构造潘宁离子枪6. 每个枪的抛光角度可调范围为-10度~10度,增量为0.1度7. 扇形抛光角度可变且可程序化,范围从10度~90度8. 离子枪无需零件更换,寿命超过30,000小时9. Gatan专利的样品/挡板配置,装样简单,再次抛光位置准确10. 独特的离子束调制功能,可进行扇形抛光和平面抛光11. 洁净的真空系统,分子泵与隔膜泵搭配12. 操作简单,维护方便 抛光前- 俯视SEM图CuInSe2样品 抛光90S后SEM 图 CuInSe样品 产品主要技术参数: 1、 离子枪:两个配有稀土磁铁的三元构造(阴极、阳极与聚焦极)潘宁离子枪,聚焦离子束设计,高性能无耗材2、 抛光角度: +10° 到 -10° ,每个离子枪可独立调节3、 离子束能量:100 V 到 8.0 kV4、 离子束流密度:10 mA/cm2 峰值5、 抛光速度:300 μm/h(8.0 kV条件下对于硅试样)4.2样品台6、 样品装载: Ilion专利的样品挡板, 装样简单,再次抛光位置准确,可重复使用,配合Sample Stub可直接转至SEM中观察 7、样品旋转:0.5到6 rpm连续可调8、束流调制:独特的离子束调制功能,可进行扇形截面抛光(扇形角度为10到90度可调)和平面抛光。9、样品观察:数码变焦显微镜,配有PC及Digital Micrograph软件采集图像,通过Gatan Digital Micrograph软件可进行实时成像(300x–2,200x)与图像存储和分析10、液氮冷台:配置液氮冷台,样品最低温度可达-120°C,有效减少离子束对样品造成的损伤 4.3真空系统11、干泵系统:两级隔膜泵支持80升/秒的涡轮分子泵12、压力:5x10-6 托基本压力,8.5x10-5托工作压力13、真空规:冷阴极型,用于主样品室;固体型,用于前级机械泵14、样品空气锁: 独特的Whisperlok设计,样品更换时间1Min,无需破样品室真空4.4用户界面15、10 英寸触摸屏: 操作简单,且能够完全程序化控制所有参数可进行配方操作。16、配方操作模式:自定义不同的加工参数组合,实现一键操作。 产品主要应用领域: EBSD样品制备截面样品制备金属材料(合金,镀层)石油地质岩石矿物光电材料化工高分子材料新能源电池材料电子半导体器件PCB电路版截面抛光SEM图镀锌钢板截面抛光Zn晶粒 Fe晶粒
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  • 氩离子截面抛光仪 400-860-5168转6134
    氩离子截面抛光仪 (Cross Section Polisher,简称CP),凝聚了日本电子科技人员多年的梦想与实践,是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域变革性创新发明。自2004年日本电子发明该仪器以来,在全世界迅速普及。用CP切割截面的方法甚至已经成为一种加工方法-CP法被定义下来,在很多论文里度可以查到。氩离子截面抛光仪顾名思义是使用氩离子束轰击样品表面进行样品加工,用其他方法难以制备的样品,软硬材质混合的复合材料,都能够制备出完美光滑的截面。除了表面极为平整外,被加工区域变形小、损伤小、无异物介入、结构无破坏是其主要特点。2017年1月JEOL推出新一代可监控智能化加工产品,型号IB-19530CP,加工质量和方便性大大提高。
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截面抛光相关的试剂

截面抛光相关的方案

  • FIB-SEM双束电镜应用之样品的截面抛光
    截面抛光是FIB主要用途之一。所谓截面抛光就是利用离子束将样品剖开观察内部的结构,从而分析样品内部的微观组织或缺陷。如下图所示,为了分析焊接界面处的产物,需要将焊接处剖开,从而可以对界面进行成份和晶体结构进行研究。
  • 热裂解-气相色谱质谱法定性分析抛光液中的有机成分
    本文使用热裂解-气相色谱质谱联用仪对抛光液样品分别进行裂解气模式(EGA)分析和双步裂解模式(Double-Shot)分析,通过谱库检索功能可获得样品中大分子聚合物和低沸点小分子的信息。该方法样品用量少,操作简单,结果可靠,可较全面地定性抛光液中的有机成分。
  • 耳石薄截面的制备与分析
    耳石(脊椎动物内耳)的显微组织分析对于研究鱼的生长模式和年龄是一个重要的工具。这一信息可进一步用于总的鱼群、物种动态特性、以及了解环境变化的影响等更大范围的研究。 鱼的年龄通常是通过检查和计数鳞片上的生长环或是在耳石(内耳的小骨)上看到的环状组织来确定的。这些环对应于环境的季节变化并可以与树干的年轮相比较。如果这些环生长迅速,它们的间隔就比较宽;当环与环之间的间隔比较窄时,就表明生长比较缓慢。耳石共有三对,最常分别称为耳沙(内耳囊状物部分的一种石状物)、扁平石(多数鱼的两个耳石中较大的一个)、和星状耳石。它们的所在位置、功能、尺寸、形状、以及超微结构方面均不相同。这些差异会影响到制备方案的确定,例如抛光面以及所必需的制备量。尺寸具有特殊的重要性,因为较大耳石具一般有较大的三维深度和不规则性,从而限制了显微组织的外观观察。另一方面,对于较小的耳石,有可能不经切割或抛光就可以观察其显微组织。大多数情况下,需将耳石清洁而准确地切割成非常薄的截面。这样就可以看到环状组织。对于厚度大于100μ m的耳石,将试样抛光可能会更好些。这样做在观察环状组织时将使分辨率得到改善。为了能继续增进对鱼群动态特性的了解,很好地确定耳石的分离、制备、和分析技术并适当侧重质量控制十分重要。许多情况下,研究者已经拟订出针对某一物种的特定方法。这里所介绍的方法还是属于相当一般性的。

截面抛光相关的论坛

  • EBSD制样最有效的方法------氩离子截面抛光仪

    EBSD制样最有效的方法------氩离子截面抛光仪

    EBSD制样最有效的方法------氩离子截面抛光仪 电子背散射衍射(EBSD)技术出现于20世纪80年代末,经过十多年的发展已成为显微组织与晶体学分析相结合的一种新的图像分析技术。因其成像依赖于晶体的取向,故也称其为取向成像显微术 。从一张取向成像的组织形貌图中,不仅能获得晶粒、亚晶粒和相的形状、尺寸及分布的信息,而且还可以获得晶体结构、晶粒取向相邻晶粒取向差等晶体学信息,可以方便的利用极图、反极图和取向分布函数显示晶粒的取向及其分布。 背散射电子只发生在试样表层几十个纳米的深度范围,所以试样表面的残余应变层(或称变形层、扰乱层)、氧化膜以及腐蚀坑等缺陷都会影响甚至完全抑制EBSD 的发生,因此试样表面的制备质量很大程度上决定着EBSD的质量。与一般的金相试样相比,一个合格的EBSD样品,要求试样表面无应力层、无氧化层、无连续的腐蚀坑、表面起伏不能过大、表面清洁无污染 。我国自上海宝钢率先引进第一台EBSD至今,国内其它一些钢铁公司、科研院所和大学都相继购置了该设备。到目前为止EBSD设备已将近70台,该设备的总量已经达到一定规模,但其中一大部分并没有完全发挥其应有的功能,究其原因主要是EBSD的图像分析不但需要有很深的晶体学造诣,而且 EBSD对样品的要求很高,初学者很难在短时间内掌握其制样工艺。 随着电子背散射技术(EBSD)的日益广泛应用,EBSD样品制备的新技术、新设备也相继出现。样品制备技术也由传统的机械-化学综合抛光,电解抛光丰富到FIB,以及目前广泛应用的氩离子截面抛光仪。 传统的机械抛光不能有效去除样品表面的变形层,即使经过反复的研磨,也会出现再次变形的可能,即伴随着消除严重变形层又有形成新的变形层的可能,而且机械抛光的同时还会造成对样品的表面划痕与损伤,大大影响了EBSD试样的效果。 电解抛光是靠电化学的作用使试样磨面平整、光洁,一般处理大批量的EBSD试样首选电解抛光。电解抛光可以非常有效的去除表面的氧化层和应力层。不同材质电解抛光工艺不同,需要摸索合适的抛光剂,原始的抛光剂可以在文献和一些工具书中找到,然后需要进行大量的试验,才能找到理想的抛光参数(如:试剂配方、抛光时间、温度等)。摸索出合适的工艺参数后,通过电解抛光可以制备理想的EBSD样品,因其工作量大且成功率很难掌握。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/04/201404171500_496465_2498941_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/04/201404171500_496466_2498941_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/04/201404171500_496467_2498941_3.jpg 上面三个图像:20 kV 条件下得到的碳化钨/钴样品的 EBSD 结果,其中的钴没有发生 FCC 到 HCP 的相变。 试样用Ilion II在1 kV的条件下进行抛光。照片由英国曼切斯特大学 A Gholinia博士提供。 新一代氩离子截面抛光仪(Ilion697 II)是一个用于样品的截面制备及平面抛光的桌面型制样设备,抛光面与机械研磨不同,呈微细镜面,不会有划伤、扭曲变形、凹凸不平、研磨颗粒嵌入样品内部、脱层、孔隙结构填堵等现象,加工的样品反映材料的真实组织结构。 新一代的氩离子截面抛光仪,具有操作便捷(触摸屏控制,配方操作,马达驱动离子枪),抛光过程随时观察,与FIB装置相比,速度更快,扩大了加工面积,且体积小,衬度高,价格便宜等特点,由于经过氩离子截面抛光后样品的菊池花样清晰,EBSD分析更加容易。 以上内容摘自中国电镜网!

  • 氩离子抛光制样

    氩离子抛光制样

    氩离子切割技术是一种利用宽离子束(〜1mm)来切割样品,以获得宽阔而精确的电子显微分析区域的样品表面制备技术。一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域,有效的遮蔽了下半部分的离子束,创造出一个侧切割平面,去除样品表面的一层薄膜。氩离子抛光技术是对样品表面进行抛光,去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在 SEM,光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。氩离子抛光技术是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域性创新发明。机械研磨抛光技术与氩离子束抛光技术的比较: 机械研磨抛光 vs 离子束抛光 ×有限的硬,固体样品 P适合各类样品 o硬度较大金属材料 o软硬金属材料皆可 o硅和玻璃 o同一样品含软硬不同材料 o半导体(铝/宽/高k电介质 o多孔材料 o矿物质(干) o湿或油性样品:油页岩 o有机物data:image/png;base64,iVBORw0KGgoAAAANSUhEUgAAAAEAAAABCAYAAAAfFcSJAAAAAXNSR0IArs4c6QAAAARnQU1BAACxjwv8YQUAAAAJcEhZcwAADsQAAA7EAZUrDhsAAAANSURBVBhXYzh8+PB/AAffA0nNPuCLAAAAAElFTkSuQmCChttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/01/201701191701_669442_3156028_3.png氩离子抛光/切割的优点http://www.gmatg.com/vr/zbjy888/Resources/userfiles/images/20140215_220137.jpg机械抛光的缺点相比较下氩离子抛光的优点:(1)对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。(2)比FIB方法的抛光面积更大(~1mm以上)。氩离子切割抛光制样具体应用领域有: EBSD样品 光伏、半导体 金属(氧化物,合金) 陶瓷 地质样品、油页岩 高分子、聚合物 CLEBSD制样最有效的方法------氩离子截面抛光仪随着电子背散射技术(EBSD)的日益广泛应用,EBSD样品制备的新技术、新设备也相继出现。样品制备技术也由传统的机械-化学综合抛光,电解抛光丰富到FIB,以及目前广泛应用的氩离子截面抛光仪。传统的机械抛光不能有效去除样品表面的变形层,即使经过反复的研磨,也会出现再次变形的可能,即伴随着消除严重变形层又有形成新的变形层的可能,而且机械抛光的同时还会造成对样品的表面划痕与损伤,大大影响了EBSD试样的效果。电解抛光是靠电化学的作用使试样磨面平整、光洁,一般处理大批量的EBSD试样首选电解抛光。电解抛光可以非常有效的去除表面的氧化层和应力层。不同材质电解抛光工艺不同,需要摸索合适的抛光剂,原始的抛光剂可以在文献和一些工具书中找到,然后需要进行大量的试验,

截面抛光相关的资料

截面抛光相关的资讯

  • 第三方检测 | 科研道路千万条,截面抛光第一条,氩离子抛光技术制备三元前驱体材料
    由于煤、石油、天然气等资源不可再生的特点使得开发可持续性能源成为当务之急。1991年日本索尼公司推出的锂离子电池让世界看到绿色能源电池新契机,其高比能量和高比功能密度已被广泛应用在电动汽车、国防工业、便携式电子设备等领域中。石墨因比容量高、结构稳定、成本低等特点已广泛用作商业负极材料,因此正极材料成为制约锂离子电池发展的重要因素。在众多的正极材料中,三元正极材料镍钴锰Li(Ni1-x-yCoxMny)O2由于其导电性能优良、成本低廉、环境友好等特点成为具有商业应用价值的电池材料。而正极材料能继承前驱体的形貌和结构特点,所以前驱体的结构、制备工艺对正极材料的性能有着至关重要的影响。因此对三元前驱体材料Ni1-x-yCoxMny(OH)2形貌及结构的研究显得尤为重要。为了更好的观察三元前驱体材料Ni1-x-yCoxMny(OH)2的内部结构,我们使用美国GATAN Ilion II 697精密刻蚀仪(图1)对材料进行刻蚀。Ilion II 配备两支无损、能量范围大的(100V-8KV)聚焦离子枪,样品制备时,高低电压的结合可极大提高抛光的速度和质量。同时聚焦离子枪的设计,可以保证低电压下,快速获得高质量的样品表面。 图1 GATAN Ilion II 697精密刻蚀镀膜仪 我们利用Ilion II 697精密刻蚀镀膜仪并配备蔡司Sigma 500场发射电子显微镜实现对三元前驱体材料的制备及观察。697所制备的粉末样品数量足够多,且表面平整度好,不仅可以看到其内部的孔隙大小、结构情况,还可以看到晶粒的大小和分布情况等。如图2(a)可看出材料整体制备平整、完好无损伤,2(b)可清晰观察到材料内部纳米级别孔隙;图2(c)(d)为另一种结构的前驱体材料,孔隙较小且可观察到晶粒。正所谓“工欲善其事,必先利其器”,选择合适的实验仪器和实验方法能让您的科研达到事半功倍的效果。图2 三元前驱体材料刨面结构
  • 飞纳电镜新搭档——1060 离子研磨抛光仪
    离子研磨抛光仪是一台高质量的 sem 样品制备台式精密仪器,满足几乎所有应用材料的制备。离子研磨抛光仪是通过物理科学技术来加强样品表面特性。使用的是惰性气体中具有代表性的氩气,通过加速电压使其电离并撞击样品表面。在控制的范围内,通过这种动量转换的方式,氩离子去撞击样品表面从而达到无应力损伤的 sem 观察样品。1060 ion milling 台式离子研磨抛光仪先进的样品制备技术如今 sem 在快速研究和分析高端材料结构和性能方面被认为是一种非常理想的手段方式,fischione 1060 是一个优秀的样品制备工具,是一台具有目前最先进技术的离子研磨抛光系统,设计精巧,操作方便,性能稳定。1060 离子研磨抛光仪为 sem 呈现样品表面结构和分析样品特性提供了便利,是 sem 样品制备完美的工具,正不断用于制备高质量的 sem 样品,满足苛刻的成像及分析要求。专利的双离子束源fischione 1060 两束专利电磁聚焦离子束源可直接控制作用在样品表面的离子束斑点直径,操作者可以根据需求自己调节。两束离子束可以同时聚焦在样品表面,这样可以大大提高研磨抛光速度。1060 离子束源采用独特的专利电磁聚焦设计,这样的设计可以让离子束斑点直径可调,从而离子撞击的时候是直接撞击样品,且只可以撞击样品,同时样品溅出的材料不会沉积在样品夹具、样品仓或者样品表面上。离子研磨抛光仪有哪些应用sem 样品制备时常常需要研磨抛光。制样时即使再留意,常常一些不理想的形貌也会出现。随着 sem 技术的快速发展,即使一个微不足道的损伤也会限制样品表面的彻底观察分析。通过惰性气体离子研磨抛光解决样品表面之前的损伤是一个非常理想的方法。这是离子研磨的基本功能。块状样品事实上一些无机样品也受益于离子研磨抛光技术。当离子束低入射角度直接作用在样品上时,样品表面剩余的机械应力损伤,氧化层及残留物层均会被溅出,最终显现原始的形貌供 sem 观察和分析。ebsdebsd 是一项非常有用的技术,可以让 sem 获取更多晶体信息,因为通过 sem 获得的背散射电子信息能很好的反应材料晶体结构、晶向和晶体纹理。ebsd 对表面信息非常敏感,任何轻微的表面缺陷均能通过 ebsd 获得比较好的图案信息。因此通过离子研磨抛光来增强表面信息是非常有利的。为了让 ebsd 提高到更好的检测水平,离子研磨抛光能被用来去除精细样品材料的表面材料。使用二维的方法无法得到这一系列的技术产量切片技术。半导体截面观察在半导体行业的很多案例中,离子研磨抛光可以让失效分析快速的得到有用的信息。通常切割或者机械研磨样品会产生样品表面损伤,这些问题可以通过离子研磨抛光来解决,这也得力于多样化的样品夹具来优化了这些操作过程。使用飞纳台式电镜观察 1060 离子研磨抛光仪制样效果1060 离子研磨抛光仪标准版和专业版1060 离子研磨抛光仪技术参数离子束源两束电磁聚焦离子源加速电压范围: 100 ev - 6.0 kev,连续可调离子束流密度高达 10 ma/cm2可选择单束或者双束离子源工作独立控制两束离子束源加速电压 (仅专业版)样品台离子束入射角 0? 到 +10?最大样品尺寸:直径 25mm,高度 15mm样品高度自动感应360? 样品旋转样品往复摇摆,从 ±40? 到 ±60?真空系统两级真空系统:无油干泵和涡轮分子泵皮拉尼型真空计感应控制真空工作气体99.999% 纯度的氩气每离子束流速约 0.2 sccm,名义上所需压力为 15psi 采用自动气体流量控制技术,实现离子源气流的精密流量控制,含两个流量计气压源气动阀驱动氩气,液氮, 或者干燥空气;所需压力要求名义上 60 psi样品照明用户可选的反射照明自动终止计时器设定自动加工终止用户界面标准版内置触摸屏,包含基本设备功能模块专业版?内置触摸屏,包含基本设备功能模块?基于电脑,加工流程可通过参数编程并实时显示操作状态?操作灯光指示器(选配)辅助光学显微镜可选配一个 7-45 倍的体视显微放在与真空系统内用于直接观察样品;或者选配一个具有 2,000 倍的显微成像系统,用于定点成像并显示在电脑显示屏上尺寸标准版69cm*38cm*74cm*51cm (宽*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深)专业版107cm*38cm*74cm*51cm (宽-含电脑显示器*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深)重量73 kg电源100/120/220/240 vac,50/60 hz,720 w
  • 问传统求新知——用扫描电镜揭开铝电解抛光表面的各向异性纳米图案的神秘面纱
    金属的电解抛光,是一种传统而常用的表面处理技术,通过可控的电化学反应使金属表面溶解(凸起部分溶解速度快)来降低表面粗糙度。利用电解抛光技术,可以获得纳米级粗糙度的镜面光泽表面,而且可以去除前序机械加工遗留的表面和亚表面损伤层。不过,不为一般仅使用该技术的研究者注意的是,在一定的电化学条件下,电解抛光后的金属表面会出现纳米级的图案(pattern),其中对金属铝的研究较多。研究者发现,金属铝(Al)经短时间电解抛光处理后,表面会出现周期或特征周期为几十至一百多纳米的有序条纹状(stripe)、六边顶角状(hexagon)及点状(dot)等多种有序或无序图案。这一现象,已经引起了研究者对其在金属表面微纳工程、微纳模板加工、微纳电子学等领域应用的关注。研究者已经开始深入挖掘纳米图案形成的机理,关键是揭示材料表面结构和界面电化学行为决定纳米图案类型及周期的物理化学规律。但是,目前已经发表的研究,缺少对多晶和单晶铝表面纳米图案形成行为的系统实验研究,定性的多定量的少,零散的多系统的少,难以用来检验和改进现有的表面纳米图案形成理论。其中一个被长期忽略的关键问题,就是铝表面结构差异导致的纳米图案的各向异性。哈尔滨工业大学化工与化学学院的甘阳教授和他指导的博士生袁原(论文第一作者)、张丹博士、杨春晖教授及机电学院的张飞虎教授,首次采用电子束背散射衍射(EBSD)对电解抛光后的多晶铝和单晶铝进行了定量的表面晶体学取向分析,并采用蔡司的Sapphire Supra 55场发射扫描电镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)对纳米图案的类型(type)和周期(size)进行了系统表征和量化分析,揭示了铝电解抛光表面纳米图案的类型和周期对于表面结构和晶体学取向的依赖性的规律。同时,基于表面物理化学的理论框架,对结果进行了深入分析和讨论,定性解释了大部分的实验结果,并指明了下一步的研究方向。研究结果近期以长文形式发表于电化学领域的国际知名期刊Journal of the Electrochemical Society,国际同行评审专家认为该工作是对本领域的重要贡献。甘阳教授课题组首先对多种铝样品的电解抛光表面纳米图案进行了系统的研究:1)多晶铝(polycrystalline Al)中不同取向的晶粒;2)切割角可控的系列单晶铝(monocrystalline Al)样品。通过EBSD测试获得晶粒表面的晶体学取向图,并结合定位SEM表征,他们发现,铝电解抛光表面纳米图案对晶面取向具有依赖性(如图1所示为多晶样品中三个毗邻的晶粒)。(背景知识:描述铝表面晶体学取向的EBSD反极图三角(IPF triangle)中,可划分为围绕三个低指数晶面方向(primary direction,主取向)的晶体学主取向区域—[101] //ND,[001] //ND和[111]//ND,单个晶粒或单晶的表面取向偏离主取向的角度称为取向差角(misorientation angle)。)通过对数十个不同取向的多晶晶粒的逐一定位SEM表征,他们发现了一系列未被报道过的现象(图2):1)纳米图案类型和周期对晶面取向的依赖性是否显著取决于所属的主取向区域;2)在同一主取向区域内,纳米图案类型和周期随着取向差角的改变呈现渐变性规律;3)对于具有相同取向差角但偏向不同主取向的晶面,纳米图案类型和周期也发生变化;4)在两个或三个主取向的交界处,纳米图案类型和周期基本相同。他们进一步测试和分析了一系列取向差角可控的单晶铝样品(图3),证实了上述多晶样品的结果,并揭示出目前尚难以解释的单晶和多晶样品间的图案周期性大小的差异问题(图4)。图1 (a)电解抛光多晶Al样品的EBSD分析IPF图,(b)放大后的IPF图和IPF三角显示三个相邻的A、B、C晶粒及其所属的主取向区域和各自的晶面取向差角值,(c)三个晶粒的定位SEM形貌图像,相邻晶粒被晶界隔开并交于一点,(d–f)三个晶粒的AFM形貌图像和细节放大图及FFT分析图,(g–i)为对应AFM图中白线段的线轮廓分析图。图2 (a)电解抛光后不同晶面取向的多晶铝晶粒在IPF三角中的位置图,(b–y)不同晶粒表面的SEM形貌图和对应的FFT分析图(SEM图上均给出了取向差角和图案的周期)。图3 (a)不同晶面取向的单晶铝样品在IPF三角中的位置图,(b–s)电解抛光后不同单晶样品表面的SEM形貌图和对应的FFT分析图(SEM图上均给出了取向差角和图案的周期)。图4(a,b)单晶和多晶样品的表面纳米图案周期(L)随取向差角(θ)变化的L–θ图,上方刻图轴给出了三个主取向区域内与θ对应的所属表面的表面台阶宽度(w)。(c,d)单晶和多晶样品的各晶面在IPF三角中的对应位置图。L–θ图和IPF三角中的几条连线,表示的是连接了近似位于延某个主取向辐射出去的直线上的若干晶面(及IPF三角中的若干对应的点)。为了解释实验结果,他们建立了一系列不同取向晶面的表面原子排列的“平台–台阶”模型(图5),还特别关注了更复杂的“平台–台阶–扭折”表面结构(图6)。尽管尚没有考虑表面驰豫、重构等的影响,他们根据表面结构特征随取向差角的变化规律,解释了实验观察到的纳米图案类型和取向差角的关系。比如,在一个主取向区域内,随着取向差角的增大,表面台阶宽度逐渐减小而不是突变,界面能的变化也应该呈现渐变的特性,这就解释了纳米图案的类型随取向差角改变的渐变现象。此外,在两个或三个主取向区域的交界处,大取向差的晶面的表面结构(平台宽度和台阶处的原子排列)很相似,所以导致纳米图案的类型基本相同。而不考虑上述结构特征,就很难解释实验上观察到的现象。图5(a–f)[001]和[101]//ND主取向区域内6个不同取向差角的晶面的表面“平台–台阶”结构模型的正视图和侧视图。表面单胞用红色平行四边形或矩形表示。(g)6个晶面在IPF三角中的位置图。图6 (a–c)[001]//ND主取向区域内3个取向差角相等但偏向不同方向的晶面的表面“平台–台阶–扭折”结构模型的正视图。表面单胞用红色平行四边形表示,特别给出了平均台阶宽度。(d)3个晶面在IPF三角中的位置图。图7 在电解抛光过程中吸附分子在不同平台宽度“平台–台阶”表面的扩散和脱附行为差异的示意图。(a)宽平台表面;(b)窄平台表面。他们基于表面结构影响电化学溶解和界面分子吸附、扩散行为的理论框架,对文献中现有的“吸附–溶解”理论进行了深化,进一步提出了表面平台宽度和台阶位点的数量会影响电解抛光液中的表面吸附分子(如乙醇)在表面的扩散(以扩散系数表征)和吸脱附(脱附速率常数)行为。取向差角越大,平台宽度越窄(台阶密度也越大),分子在表面的扩散障碍越大,但同时脱附也更困难,这二者的竞争导致图案的周期先增加并逐渐达到峰值后减小。以外,他们还提出了一套结合SEM测量和图像的FFT处理的分析步骤,以此为基准来准确确定准无序纳米图案的平均周期大小,有效避免了单点测量的较大偏差。以上研究工作,对铝及其它金属(如Ti,Ta,Zn,W)及合金的电解抛光表面纳米图案化研究具有普通意义。甘阳教授课题组正在继续深入研究更多实验因素的影响、图案演化的计算机模拟及理论模型的建立,力图全面揭示金属电解抛光表面纳米图案的形成机理。该研究得到了国家自然科学基金重点项目、国家重点研发计划项目等的资助。恭喜哈尔滨工业大学化工与化学学院甘阳老师课题组使用蔡司场发射扫描电镜做科学研究,取得丰硕的科研成果!
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