荧光光谱仪光致发光

光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点： 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询；**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K ZnO材料的PL谱: 激发波长：325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。

组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光（photoluminescence）即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光（如激光器等）激发样品/ 材料（如GaN/ZnO 等）产生荧光，通过对其荧光光谱的测量，分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计，在满足PL 光谱测量的同时，用户可以根据不同的实验需求，选择不同的配件，灵活的进行系统功能的扩展。系统组成：激发光源+ 样品室＋荧光光谱仪＋数据采集及处理系统＋软件＋计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源：HeCd激光器● 激发光功率：20mW● 激发波长：325nm● 瑞利散射截止滤光片，OD6● 荧光光谱仪光谱范围：300-850nm（可扩展至2500nm）● 荧光光谱分辨率：优于0.2nm（@1200g/mm光栅）● 波长准确度：±0.2nm● 波长重复性：±0.1nm● 光探测器：科研级制冷型背感光CCD，300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机，最低温度可达2K● 系统扩展性：系统采用模块化设计，可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能，可随时储存和提取图谱，并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。