产地类别: 进口
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仪器简介:
原子层淀积(ALD)技术正逐渐成为了微电子器件制造领域的必须.多年来,原子层淀积技术的应用范围涉及从液晶显示面板(LCD panel)到工业涂 层等多种领域,目前,该技术正被开拓到先进微电子制造工艺中,例如制备用于晶体管 栅堆垛及电容器中的高k介质和金属薄膜、铜阻挡/籽晶膜、刻蚀终止层、多种间隙层和 薄膜扩散阻挡层、磁头以及非挥发存储器等。 ALD相比传统的MOCVD和PVD等淀积工艺具有先天的优势。它充分利用表面饱和反应
(surface saturation reactions),天生具备厚度控制和高度的稳定性能,对温度和 反应物通量的变化不太敏感。这样得到的薄膜既具有高纯度又具有高密度,既平整又具 有高度的保型性,即使对于纵宽比高达 100:1 的结构也可实现良好的阶梯覆盖。ALD也 顺应工业界向更低的热预算发展的趋势,多数工艺都可以在 400 摄氏度以下进行,而传统的化学气相淀积工艺要在 500 摄氏度以上完成。
ALD 技术的独特性决定了其在半导体工业中的运用前景十分广泛。器件尺寸的缩小导致 的介质薄膜厚度的减小已超出了其物理和电学极限,同时高纵宽比在器件结构中随处可 见。由于传统的淀积技术很难满足需求,ALD 技术已充分显示了其优势,为器件尺寸的
继续微缩提供了更加广阔的空间。
技术参数:
样品尺寸:
样品尺寸根据客户需要,可定制
温度范围:
前驱体源:
可选
控制:
Delphi-PC
多选;臭氧发生器 ,可增至多个前驱体源,液体注射系统。
主要特点:
• ALD可获得多种高-K电解质膜均匀的厚度及100%一体的步进覆盖
• 先进的流程系统,小容量腔体适用于短循环次数
• 机体尺寸
•一体化的集成流程模组
• 通过 Delphi software 可实现简易的流程控制
•最小化的气体供应线
*** 可提供单片或多片沉积
应用:
1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) 光伏行业 (钝化AL2O3);目前与国内多家大型光伏企业均有合作。
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5) 纳米结构 (All ALD Material);
6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS);
9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED密封层 (Al2O3);
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
。。。。。。
益处:
• R&D,及小批量研发应用.
• 价位经济
• 可增加各种多选系统
-可提供太阳能电池批量AL2O3镀层ALD,1~4000 Wafers/次
用户单位 | 采购时间 |
---|---|
中科院宁波材料所 | 2011-06-30 |
三星电子 | 2009-06-15 |
最多添加5台