产地类别: 进口
衬底尺寸: 4-12寸
工艺温度: 650度可选
前驱体数: 4-10路
重量: 200kg
尺寸(W x H x D): 85X65X180
均匀性: 由于1.5%
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原子层沉积系统
Atomic Layer Deposition System
产地:美国Angstrom;
型号:Angstrom Dep II, Angstrom Dep III;
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术,它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深比不断增加,这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术,其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。
主要型号:
- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD);
- Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD);
- Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD);
技术规格特点:
- 基底尺寸:3英寸,4英寸,6英寸,8英寸,12英寸;
- 基底加热温度:25℃~450℃(选配:650℃);
- ALD沉积均匀性:<1% (AL2O3@4”晶圆衬底);
- 前驱体源路:4路 / 6路 / 8路,可选;
- 源瓶容量/温度:100cc,常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选;
- ALD阀门:Swagelok高温ALD阀,150℃ / 200℃ / 250℃可选;
- 载气:氮气或者氩气;
- 真空获得系统:阿尔卡特真空机械泵,也可选配普发分子泵或高速干泵;
- 其他可选模块: Load-Lock样品传输腔室,手套箱,冷阱,臭氧发生器,等离子体源、粉末沉积腔,各种原位监测模块,尾气处理系统等;
ALD可沉积材料分类:
- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
- 金属单质:Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
等等…
参考用户:
中科院化学所,中科院大连化物所,中科院长春光机所,北京大学,北京工大,北京科大,电子科大,上海理工大学…
产品货期: 200天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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