¥100万 - 150万
弗莱贝格仪器
暂无样本
MD-PICTS-
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欧洲
产地类别： 进口
少子寿命测量范围： 100ns-10ms
贯穿深度： 500μm
样品尺寸： 大20×20 mm，小5×5 mm
电阻率测量范围： 0.2->1010 Ohm cm
测试材料： 硅、化合物半导体 、 氧化物、 宽带隙材料、 钙钛矿 、外延层
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应用方向：
● 半导体材料少子寿命
● 半导体材料质量控制
● 缺陷种类确定：激活能，俘获截面等参数
应用材料范围：
硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层
为了研究半导体中的缺陷，利用温度依赖的深能级瞬态光谱学(DLTS)得到了广泛的应用。通常这些方法都需要在样品上形成接触，这意味着样品本身往往由于退火步骤而改变。此外，对于许多半导体来说，要产生欧姆接触还需要更多的处理。MD-PICTS是一种非破坏性的、非接触的方法，它的活化能和捕获截面的缺陷可以确定一个较高的精度。
对于MD-PICTS测量，用谐振微波腔测量光照射后样品的光导率。为了确定活化能，光电导率瞬态的温度变化通过窗口分析确定，该方法也用于DLTS测量(图1)。图2是窗口分析得到的所谓的MD-PICTS光谱。这个光谱中的每个峰都是样品中的一个缺陷。
根据这个发射速率公式，在Arrhenius图上画出该峰值较大值的温度位移:
从Arrhenius图的斜率(图3)可以确定活化能。
有了新型的商品化的德国Freiberg MD-PICTS设备，可以测量20 - 500 K范围内温度依赖性的瞬态光电导。在过去，用这种方法已经成功地研究了硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅等许多半导体。
图1.描述瞬态光电导率窗口分析
图2.MD-PICTS光谱图
图3.Arrhenius图
图4.不同回火Cz-Si晶片的MD-PICTS光谱图示例
技术参数
保修期: 1年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 有
免费培训: 安装时现场培训
免费仪器保养: 无
保内维修承诺: 根据具体仪器型号确定
报修承诺: 24小时内相应
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