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灵敏度：半导体材料电学缺陷分析的高灵敏度
温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰减常数范围：20纳秒到几毫秒
沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2升/次
灵活性：从365 nm 到1480nm，根据不同材料选择不同波长激发光源
可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持
图2.不同缺陷的评价 图3.Arrhenius曲线图
从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。利用这种新型MDPpicts设备，可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究。
半导体 2020-07-14
半导体 2020-07-14
保修期: 1年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 有
免费培训: 安装时现场培训
免费仪器保养: 无
保内维修承诺: 根据具体仪器型号确定
报修承诺: 24小时内相应
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