MDPspot少子寿命测试仪

MDPspot W

包括一个额外的电阻率测量选项。测量硅的电阻率，可用于没有高度调节可能性的晶圆，或晶砖。必须预先定义这两个选项中的一个。

特点：        

◇  无接触无破坏的电学半导体特性        

◇  包括μ-PCD测量选项        

◇  对迄今为止看不见的缺陷的可视化和外延层的研究具有先进的灵敏度        

◇  集成多达四个激光器，用于宽的注入水平范围

◇  获取单次瞬变的原始数据以及用于特殊评估目的的地图         

技术规格:   

优点：        

◇  台式装置，用于载流子寿命的单点测量，多晶硅或单晶硅在不同的制备阶段，从原生材料到器件。        

◇  体积小，成本低，使用方便。附带一个基本的软件，用于在小型PC或笔记本上进行结果可视化。        

◇  适用于硅片到砖，操作高度调节方便。

细节：        

◇  允许单晶圆片调查        

◇  不同的晶圆级有不同的配方        

◇  监控物料、工艺质量和稳定性      

附加选项：

◇  光斑大小变化

◇  电阻率测量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射测量(MDP)

◇  软件扩展

◇  额外的激光器选配

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