特别声明：EM01-RD多入射角激光椭偏仪（研发级）已升级至
EMPro31 极致型多入射角激光椭偏仪，主要升级内容包括：
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单次测量速度提高3倍;
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新的仪器外形;
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整体稳定性增强.
纳米薄膜高端研发领域专用的多入射角激光椭偏仪，用于纳米薄膜的厚度、折射率n、消光系数k等参数的测量。适用于光面或绒面纳米薄膜测量、块状固体参数测量、快速变化的纳米薄膜实时测量等不同的应用场合。采用量拓科技多项专利技术，仪器操作具有个性化定制功能，方便使用。
特点：
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高精度、高稳定性
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一体化集成设计
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快速、高精度样品方位对准
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多入射角度测量
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快速反应过程的实时测量
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操作简单
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丰富的材料库及物理模型
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强大的数据分析和管理
应用领域：
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可对纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k进行快速、高精度、高准确度的测量，尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发
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可用于表征单层纳米薄膜、多层纳米层构膜系，以及块状材料（基底）。
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应用领域涉及纳米薄膜的几乎所有领域，如微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、电化学、磁介质存储、聚合物及金属表面处理等。
性能保证：
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高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法以及低噪声探测技术，保证了系统的高稳定性和高准确度
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.高精度的光学自准直望远系统，保证了快速、高精度的样品方位对准
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稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量
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分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量
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一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间
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专用软件方便纳米薄膜样品的测试和建模。
技术指标：
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激光波长 |
632.8nm (He-Ne laser) |
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膜厚测量重复性 |
0.01nm (对于Si基底上110nm的SiO2膜层) |
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折射率精度 |
1x10-4 (对于Si基底上110nm的SiO2膜层) |
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光学结构 |
PSCA |
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激光光束直径 |
<1mm |
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入射角度 |
40°-90°可选，步进5° |
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样品方位调整 |
三维平移调节
二维俯仰调节
光学自准直系统对准
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样品台尺寸 |
Φ170mm |
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单次测量时间 |
0.2s |
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推荐测量范围 |
0-6000nm |
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最大外形尺寸(长x宽x高) |
887 x 332 x 552mm (入射角为70º时) |
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仪器重量（净重） |
25Kg |
可选配件：
