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天眼查显示，兆易创新科技集团股份有限公司“一种半导体存储结构及其制作方法、存储装置”专利公布，申请公布日为2024年7月19日，申请公布号为CN118368896A。
背景技术
随着半导体工艺的发展，器件的尺寸越来越小，进一步带来的沟道长度或宽度也随之减少。
基于浮栅结构的存储单元，由于其擦写动作的特殊需求，不能一味地减少沟道长度或宽度，否则会严重影响存储单元的擦写性能。
发明内容
本申请公开了一种半导体存储结构及其制作方法、存储装置，该半导体存储结构包括：衬底，衬底的上表面上形成有沟槽；第一氧化层，形成于沟槽内，第一氧化层覆盖沟槽的侧壁和底壁；浮栅，形成于沟槽内，浮栅的上表面低于衬底的上表面；控制栅，形成于沟槽内，控制栅的上表面低于衬底的上表面；漏源区，形成于沟槽的两侧。通过上述方式，能够在保证沟道长度的同时，使得整体的半导体存储结构占用更小的衬底面积。
[来源：仪器信息网] 未经授权不得转载
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