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晶圆键合

2020/01/13 13:29

阅读:635

分享:
应用领域:
半导体
发布时间:
2020/01/13
检测样品:
其他
检测项目:
键合
浏览次数:
635
下载次数:
参考标准:
晶圆键合

方案摘要:

用于:SiO2与SiO2、Si与Si、玻璃与玻璃、化合物半导体与化合物半导体、金属与金属等各种晶圆键合的工艺;涉及:阳极键合、之间键合、共晶键合等各种形式的键合。

产品配置单:

分析仪器

EVG800系列键合机:EVG810LT(低温)等离子激活系统

型号: EVG810LT

产地: 奥地利

品牌: EVG

¥99万

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Sonoscan 超声波扫描显微镜Gen7 C-SAM检测系统

型号: Sonoscan Gen7 C-SAM

产地: 美国

品牌:

$28万

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光刻:兆声清洗系统:EVG 301

型号: EVG 301

产地: 奥地利

品牌: EVG

¥70万

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方案详情:

键合技术

键合技术定义:在室温下两个硅片受范德瓦耳斯力作用相互吸引,硅片表面基团发生化学作用而键合在一起的技术。 键合技术广泛应于MEMS器件领域,是一项充满活力的高新技术,对我国新技术的发展有十分重要的意义。 在MEMS制造中,键合技术成为微加工中重要的工艺之一,它是微系统封装技术中重要的组成部分。

SOI.png

EVG300系列兆声清洗系统:EVG301

一、 简介

 

EVG公司成立于1980年,公司总部和制造厂位于奥地利,在美国、日本和台湾设有分公司,并在其他各地设有销售代理及售后服务部,产品和服务遍及世界各地。

EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商,其丰富的产品系列包括:涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。

目前已有数千台设备安装在世界各地,被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件,SOI基片制造,3D封装,纳米压印,化合物半导体器件和功率器件等领域。

EVG300系列配备1MHz30-60W的兆声波清洗头,能有效地去除亚微米(>0.1um)颗粒。可与EVG键合机和对准机实现无缝衔接,以保证键合前硅片的洁净度,是实现SOISi-Si直接键合等工艺的必要手段。同时,EVG300系列也是高精度单片清洗工序的必备设备。

二、应用范围

EVG300系列是一款单晶片或掩膜板清洗系统,面向以研发和小批量生产为主的客户,广泛应用于光刻掩膜板清洗、硅片直接键合、SOI键合前处理和其它相关领域。

三、主要特点

单片清洗,基片正面与背面间无交叉污染

稀释的化学液体清洗,有效地节省了成本

基片旋转甩干,zui大转速可为3000转/分刷片清洗

软件可编程控制刷头移动速度及基片旋转速度

1MHz兆声清洗或兆声板式清洗(可选)

单面刷洗(可选)

其它选项

- 带有IR检测的预对准台

- 应对非SEMI标准的硅片夹具

EVG800系列键合机:EVG810LT系列

LowTemp(低温)等离子激活系统 

 

一、 简介

 

EVG公司成立于1980年,公司总部和制造厂位于奥地利,在美国、日本和台湾设有分公司,并在其他各地设有销售代理及售后服务部,产品和服务遍及世界各地。

EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商,其丰富的产品系列包括:涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。

目前已有数千台设备安装在世界各地,被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件,SOI基片制造,3D封装,纳米压印,化合物半导体器件和功率器件等领域。

EVG公司是世界上顶jian的基片键合设备制造商,其键合工艺被认定为MEMS领域的标准工艺。EVG键合系统可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、 玻璃浆料键合、硅-硅直接键合、共晶键合及SOI键合等所有键合工艺。EVG键合设备型号齐全,从手动装片系统到全自动片盒送片多工艺室系统,可以满足不同客户的应用要求。无论手动/半自动装片系统, 键合工艺全部自动完成;而且,独特的基片夹具及键合室结构设计,可实现高精度的圆片键合;此外上/下极板为独立分别加热控制,zui大加热温度可达650度。

EVG810LT是一款单腔室、半自动的设备,适用于硅片直接键合的低温活化,如SOI,应变硅,GeOI,化合物半导体和MEMS器件等应用。EVG810LT工艺腔室允许使用非原位工艺,即硅片可在腔室内分别片片激活,之后在激活腔室外硅片进行键合。

 

二、应用范围

EVG810LT是一款主要用于Si-Si直接键合和SOI键合的预键合系统, 广泛应用于MEMS制造、晶圆级先进封装和SOI系统以及化合物半导体等方面。

目前,可以用于低温等离子键合的材料为:

- Si/Si, Si/SiO2, SiO2/SiO2

- TEOS/TEOS (热氧化)

- GeOI

- Si/Si3N4

- Si/玻璃,玻璃/玻璃

- GaAs, GaP, InP

-PMMA

 

三、主要特点

在室温下,等离子辅助实现圆片键合

技术,适用于几乎所有材料的键合,特别是温度敏感器件﹑化合物半导体材料等的键合

无任何液体需求,无颗粒及金属污染

 


 


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