2021/09/26 15:12
阅读:490
分享:方案摘要:
产品配置单:
速普仪器【SuPro】离子清洗仪IC150
型号: IC-150
产地: 广东
品牌: 速普仪器
¥24万
参考报价
联系电话
【SuPro】离子溅射仪/喷金仪 ISC150
型号: ISC150
产地: 广东
品牌: 速普仪器
¥8万
参考报价
联系电话
速普仪器【SuPro】ISC150 T高真空离子溅射仪
型号: ISC150 T
产地: 广东
品牌: 速普仪器
¥18万
参考报价
联系电话
【速普仪器】电镜腔体原位等离子清洗仪RPS50
型号: RPS50
产地: 广东
品牌: 速普仪器
¥18万
参考报价
联系电话
TEM透射电镜样品杆存储清洗系统
型号: SPC-150
产地: 广东
品牌: 速普仪器
¥50万
参考报价
联系电话
方案详情:
现象描述:
样品在电镜中长时间成像,或进行EDS成分分析过程中,可能会在测试区域形成“黑色方框”,即发生了聚合物碳沉积。
成因分析:
当高能电子撞击样品表面时,它们产生大量低能二次电子(SE)。SE由于其较低的速度而与环境污染物气体分子具有高得多的相互作用面。它们分解有机污染,并在成像区域周围造成“碳沉积”(碳氢化合物或烃)。当表面被薄层烃覆盖时,该区域二次电子产率将降低,SE成像过程中会表现为黑色方框。特别是在高放大倍率、低加速电压成像条件下尤为明显。
负面影响:
1.电子暴光区域将比周围的未曝光区域更暗,减少了电子显微镜图像中的材料对比度;甚至随碳积影响,表面会累积电荷导致无法清晰成像。
2.更有甚者,碳氢化合物污染严重的时候,可能会导致电子光学成像部件(电子枪部分)及探测器等污染,使电子束及成像漂移。
清除积碳:
远程离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部;只有部分呈电中性的O活性自由基从离子源进入反应腔室内,与样品表面积碳(碳氢化合物)及电镜腔室内碳氢污染物发生化学反应,生成CO2,CO,H2O并被真空泵组抽出;最终实现样品积碳清洗之目的,同时提高成像分辨率及衬度,缩短真空腔室抽真空时间。
下载本篇解决方案:
更多
等离子清洗仪处理TEM透射电镜样品清洗和活化
SEM/TEM电镜样品对于前处理有如下三点应用需求:1.等离子清洗;2.等离子活化;3.高真空存储。 针对扫描电镜领域,导电差的样品易于在场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB-SEM)中形成“积碳”的问题;以及在透射电镜领域,有机污染物影响高分辨成像及STEM成像产生“白框”碳污染的问题,可以通过RF射频离子源在样品放入扫描电镜或透射电镜观察表征之前,对样品进行真空等离子清洗的工艺来减轻甚至消除积碳影响。 离子清洗的工作原理为:RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部;只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内,与样品表面残留的有机污染物发生化学反应,生成CO2,CO,H2O并被真空泵组抽出;最终实现样品成像无积碳之目的,同时提高成像分辨率及衬度。 离子活化原理与离子清洗原理类似,RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部。只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内,与样品表面发生作用,提高表面能使之亲水(表面氧原子与水形成氢键,使后者有序平铺)。但样品的表面能量高,处于不稳定状态,故亲水效果不会维持太久(~几十分钟)。 高真空存储电镜样品及透射样品杆的原理为:真空泵组选用无油分子泵和无油隔膜泵,可以避免油污染的影响。并且由于采用分子泵+隔膜泵两级真空系统设计方案,系统能够实现高本底真空度,将样品表面残留气体及污染物抽走,避免样品前处理导致的二次污染问题。
半导体
2018/01/16
光电/MEMS/半导体薄膜应力表征解决方案
基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理,采用先进的激光扫描方式和探测技术,以及智能化的操作,使得FST5000薄膜应力仪特别适合于晶圆类光电薄膜样品的弓高、轮廓形貌、曲率半径和薄膜应力测量。
半导体
2021/06/02
磁控溅射沉积扫描电镜SEM样品贵金属导电膜
采用磁控溅射手段,通过磁控阴极+专用直流电源方式对样品喷金处理,有较低的离子轰击损伤和温升效应;另外,包括原位等离子清洗源选配模块,能够实现样品表面有机污染物清洗和活化;此外,还有操作简单,触控面板界面,一键式操作等特点。
能源/新能源
2018/12/05
贵金属电极材料/喷金喷碳薄膜制备方案
1.无油隔膜泵+分子泵产生无油高真空背景环境,能够在超净间内使用; 2.磁控溅射镀膜,采用高品质恒功率DC磁控溅射电源,保证恒定镀膜沉积速率; 3.能够利用该产品进行常规金属的磁控溅射镀膜应用;
能源/新能源
2018/01/17