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少子寿命检测在SiC领域的应用

2022/06/15 15:12

阅读:138

分享:
应用领域:
半导体
发布时间:
2022/06/15
检测样品:
集成电路
检测项目:
电化学及储能
浏览次数:
138
下载次数:
参考标准:
碳化硅少子寿命测试仪、SiC少子寿命测量仪

方案摘要:

近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高,在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体,与硅相比,它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一,特别是SiC在高压器件中的应用。因此,有必要进行寿命检测,以获得某一器件的顶配性能。

产品配置单:

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方案详情:

近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高,在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体,与硅相比,它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一,特别是SiC在高压器件中的应用。因此,有必要进行寿命检测,以获得某一器件的性能。为了制造出最高成品率的SiC器件,需要一种具有高分辨率的材料表征方法,以及一种研究SiC缺陷来源的方法,以进一步提高SiC器件的质量。


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