Park NX12原子力显微镜

Park SThM USER'S MANUAL 扫描热显微镜用户操作手册

SThM技术通过使用带有电阻元件的热探针来绘制样品表面的热特性。扫描热显微镜（SThM）在两种模式下是可用的，热力模式（TCM）和热传导模式（CCM）。TCM允许用户测量样品表面的温度变化。CCM允许用户测量样品表面的热导率变化。

Park NX系列MFM USER'S MANUAL 磁力显微镜用户操作手册

磁力显微镜（MFM）是一种通过测量磁化尖端和磁性表面之间的磁力来绘制样品表面磁性的技术。MFM图像包含有关磁性的信息，如磁域的分布。

Park NX系列 EFM User's Manual 静电力显微镜用户操作手册

静电力显微镜（EFM）是一种通过测量样品表面和偏压AFM悬臂之间的静电力来反映样品表面电学性质的技术。EFM图像包含有关电子特性的信息，如样品表面的表面电位和电荷分布。

Park NX系列 C-AFM Users Manual 操作手册

在C-AFM测量中，导电尖端以接触模式AFM扫描表面，以映射出同一表面的形貌。同时，通过测量针尖与样品之间的电流，来反映样品表面的电导率等电特性。一般情况下，针尖与样品之间的电流非常小，需要用电流放大器放大后才能加工成图像。NX系列SPMs支持10^6~10^12 V/A可变增益的内部电流放大器，满足各种测量条件的需要。

Park原子力显微镜NX12彩页

Park NX12有纳米级分辨率成像以及电，磁，热和机械性能测量的能力；纳米管扫描系统可用于高分辨率扫描离子电导显微镜（SICM）。

Park原子力显微镜NX20使用手册

作为一款缺陷形貌分析的精密测量仪器，其主要目的是对样品进行缺陷检测。 而仪器所提供的数据不能允许任何错误的存在。Park NX20，这款全球最精密的大型样品原子力显微镜，凭借着出色的数据准确性，在半导体和超平样品行业中大受赞扬。

帕克网络讲堂：原子力显微镜测定力—距离曲线的原理和应用

1. 力和距离曲线在表面科学，纳米技术，生物科学 和许多其他研究领域中也扮演了非常重要角色。 2. 力和距离曲线是Park所有机台的默认配置，不需要 特殊的模块配合使用，但是很少人充分利用。 3. 操作简单，但是涉及的难点却很多。如探针的选择， 参数的设定，悬臂的校准等等。 4. 不仅有一般力和距离曲线，还包括液下力和距离曲 线，还有Park 推出的PinPoint模式也都是这个领域的 延伸。 5. 对于特殊材料进行力曲线分析，如细胞等样品，探 针的改良也是一种保护样品不被破坏的途径，并能够 让测量变成更容易的几何运算。它也是一种力曲线的分析难点之一。

利用Park NX系统的全自动原子粒显微镜测量及分析

多年来，为了不断满足市场需求和同比更快更高效的设计，半导体元件尺寸已经达到甚至小于1X纳米节点。元件制造方法一直在提高，从2006年的65纳米达到了2014年的14纳米1X节点。国际半导体技术路线图目前预测第一个替代1X的7纳米元件或许会在2017年初次登场。[1]为了延续这样的速度，制造商必须有满足分辨率、精密度和精确度的计量要求的能力。满足这些需求的器械必须提供用于临界尺寸测量的纳米成像技术，测量结果可重复并且在大规模生产环境中能精确到提高生产力。[2] 为了应对这些挑战，通过Park系统，用原子力显微镜（AFM）工具和为自动采集和分析数据而特别定制的软件研发出一个引人注目的纳米测量方案。该软件被命名为Park XEA [3]，设计这个软件的目的是为了让过程控制工程师使用AFM系统获得目标元件准确和可重复的纳米级图像，依据用户自定义的程序定制配套文件。相应的增加生产力，使这种结合的软件和硬件方案吸引各个圆片级元件制造工厂。

使用扫描电容显微术（SCM）和扫描开尔文探针显微术（SKPM）成像的半导体器件的电学表征

由于半导体器件（如晶体管、二极管以及集成电路）在电路系统中的重要性，半导体器件构成了现代电子学的基础。这些半导体器件应用广泛。最普遍的应用是设计和制造1）常见的模拟设备，如无线电广播设备以及2）数字电路，用于计算机硬件。[1]影响半导体器件性能的基本因素是主要的电参数，如掺杂剂浓度水平、载体类型以及缺陷密度。因此，评估半导体器件可靠性必须用到一种能够测量这些特征并研究纳米样品的技术。对于半导体器件来说，有好几种表征方法。例如，扫描电子显微镜检查法（SEM）、透射电子显微镜法（TEM）、二次离子质谱法（SIMS）、电子束诱生电流法（EBIC）以及一维电容电压测试法（C-V）等[2]。但是，一些方法具有破坏性，一些方法的样品制备要求很苛刻，还有一些仍然不能有效的测定子器件的二维量。这些缺陷的存在以及行业内开始盛行对半导体器件不断缩小的尺寸和高可靠性的要求，促进了对新一代表征工具的需要。为了解决半导体器件工艺计量中的这一新的难度，各种类型的扫描探针显微术（SPM）被用来迎接这一挑战。扫描电容显微术（SCM）和扫描开尔文探针显微术（SKPM）与原子力显微术（AFM）相结合是半导体器件表征最有力的方法，因为它们具有无损扫描能力，在测量纳米样品方面具有较高的精确度，且无需制备任何样品。此外，这些方法与原子力显微术（AFM）的结合，使得同时获取表面状态数据和电学性质数据成为可能，而且无需改变样品或探针尖端。为此，扫描电容显微术（SCM）和扫描开尔文探针显微术（SKPM）被用来探究静态随机存取储器（SRAM）器件，而且资料表明，这些技术是半导体器件电学性质表征的有效手段。

Park原子力显微镜XE7使用手册

Park XE7配有Park Systems的所有顶尖技术，而且价格十分亲民。与Park Systems的其他高级型号相比，XE7在细节的设计上也相当用心，是帮助您准时且不超预算地完成研究的理想之选。

Park原子力显微镜NX10使用手册

Park NX10为您带来最高纳米级分辨率的数据，值得您信赖、使用和拥有 。无论是样品设定、全扫描成像还是测量与分析，Park NX10都能在每一步为您节约时间，让您可以更加专注于创新研究工作。