Park systems NX-Wafer 原子力显微镜

网络讲座：导电原子力显微镜（C-AFM）在二维材料及纳米电子器件中的应用

导电原子力显微镜（C-AFM）是一种非常有用的扫描探针显微镜（SPA）纳米表征技术，它不仅可以对样品的形貌进行表征，更重要的是可以探测许多介质材料和电子器件的局部电学性质。C-AFM技术已经成功表征了介质薄膜的许多重要的纳米级现象，比如：局部缺陷、电荷捕获和释放、应力诱导漏电流、负偏置温度不稳定性等。   目前，随着电子器件尺寸和介电材料厚度的不断缩减，纳米级电学性质表征技术手段的应用和发展变得日益重要。本讲座首先简要介绍C-AFM技术的发展历程、工作原理、工作特点及方式；其次重点介绍C-AFM技术在二维材料和忆阻器中的电学表征应用。   具体内容是利用C-AFM技术：1.研究化学气相沉积法制备的六方氮化硼（h-BN）的电学性质：介质击穿特性和厚度及电学性质均一性；2.在不同环境（大气和真空）下探测h-BN基忆阻器的阻变特性及导电细丝的形态表征；3.通过与其它电学设备相结合，实现更高性能的技术表征。最后，探讨未来多探针SPA技术的发展概念，有望实现在真空环境下对材料或器件的原位制备和表征。 主讲人： 惠飞博士 现以色列理工学院博士后，2018年7月获得巴塞罗那大学和苏州大学双博士学位。在攻读博士期间，她曾先后到世界顶级名校美国麻省理工学院和英国剑桥大学进行为期12个月和6个月的访学。在科研方面，5年时间内，她共参与发表SCI期刊学术论文38篇，其中，一作论文11篇，包括顶级期刊Nature Electronics, AdvancedFunctional Materials, ACS Applied Materials & Interfaces, 2D Materials, Nanoscale等。另外，她还参与德国Wiley出版的专著篇章一部，获批国家发明专利一项，申请国际专利两项，参与申请国际间/国家自然科学基金项目等8项。曾获得2019 ParkAFM博后奖学金、英国皇家化学会学者奖学金等。她的主要研究领域是化学气相沉积法制备二维材料及其在电子器件领域内的应用。

Park NX-Wafer 产品彩页介绍

具有自动缺陷检测&原子力轮廓仪功能的低噪声，高吞吐量原子力显微镜。NX-Wafer原子力显微镜提供精确的形貌量测，可用来监控化学机械研磨平面化制程，检测因材料差异所造成异质材料间的凹陷（dishing）效应与浸蚀（erosion）效应

Park NX-Hivac产品彩页介绍

用于失效分析应用的高真空扫描，再高真空条件下进行SSRM(Scanning Spreading-Resistance Microscopy-扫描扩展显微镜)测量能够减少所需的针尖-样品相互作用力，并减少对样品和针尖的损伤，延长针尖的使用寿命，并能通过提高空间分辨率和信噪比从而提供更准确的结果。

Park原子力显微镜NX12彩页

Park NX12有纳米级分辨率成像以及电，磁，热和机械性能测量的能力；纳米管扫描系统可用于高分辨率扫描离子电导显微镜（SICM）。

帕克原子力显微镜XE15使用手册

Park XE15具备多个特殊功能，是共享实验室处理各类样品、研究员进行多变量实验、失效分析时研究晶片等的不二选择。合理的价格搭配强健的性能设置，使其成为业内性价比最高的大型样品原子力显微镜。

Park原子力显微镜NX20使用手册

作为一款缺陷形貌分析的精密测量仪器，其主要目的是对样品进行缺陷检测。 而仪器所提供的数据不能允许任何错误的存在。Park NX20，这款全球最精密的大型样品原子力显微镜，凭借着出色的数据准确性，在半导体和超平样品行业中大受赞扬。

帕克网络讲堂：原子力显微镜测定力—距离曲线的原理和应用

1. 力和距离曲线在表面科学，纳米技术，生物科学 和许多其他研究领域中也扮演了非常重要角色。 2. 力和距离曲线是Park所有机台的默认配置，不需要 特殊的模块配合使用，但是很少人充分利用。 3. 操作简单，但是涉及的难点却很多。如探针的选择， 参数的设定，悬臂的校准等等。 4. 不仅有一般力和距离曲线，还包括液下力和距离曲 线，还有Park 推出的PinPoint模式也都是这个领域的 延伸。 5. 对于特殊材料进行力曲线分析，如细胞等样品，探 针的改良也是一种保护样品不被破坏的途径，并能够 让测量变成更容易的几何运算。它也是一种力曲线的分析难点之一。

利用Park NX系统的全自动原子粒显微镜测量及分析

多年来，为了不断满足市场需求和同比更快更高效的设计，半导体元件尺寸已经达到甚至小于1X纳米节点。元件制造方法一直在提高，从2006年的65纳米达到了2014年的14纳米1X节点。国际半导体技术路线图目前预测第一个替代1X的7纳米元件或许会在2017年初次登场。[1]为了延续这样的速度，制造商必须有满足分辨率、精密度和精确度的计量要求的能力。满足这些需求的器械必须提供用于临界尺寸测量的纳米成像技术，测量结果可重复并且在大规模生产环境中能精确到提高生产力。[2] 为了应对这些挑战，通过Park系统，用原子力显微镜（AFM）工具和为自动采集和分析数据而特别定制的软件研发出一个引人注目的纳米测量方案。该软件被命名为Park XEA [3]，设计这个软件的目的是为了让过程控制工程师使用AFM系统获得目标元件准确和可重复的纳米级图像，依据用户自定义的程序定制配套文件。相应的增加生产力，使这种结合的软件和硬件方案吸引各个圆片级元件制造工厂。

使用扫描电容显微术（SCM）和扫描开尔文探针显微术（SKPM）成像的半导体器件的电学表征

由于半导体器件（如晶体管、二极管以及集成电路）在电路系统中的重要性，半导体器件构成了现代电子学的基础。这些半导体器件应用广泛。最普遍的应用是设计和制造1）常见的模拟设备，如无线电广播设备以及2）数字电路，用于计算机硬件。[1]影响半导体器件性能的基本因素是主要的电参数，如掺杂剂浓度水平、载体类型以及缺陷密度。因此，评估半导体器件可靠性必须用到一种能够测量这些特征并研究纳米样品的技术。对于半导体器件来说，有好几种表征方法。例如，扫描电子显微镜检查法（SEM）、透射电子显微镜法（TEM）、二次离子质谱法（SIMS）、电子束诱生电流法（EBIC）以及一维电容电压测试法（C-V）等[2]。但是，一些方法具有破坏性，一些方法的样品制备要求很苛刻，还有一些仍然不能有效的测定子器件的二维量。这些缺陷的存在以及行业内开始盛行对半导体器件不断缩小的尺寸和高可靠性的要求，促进了对新一代表征工具的需要。为了解决半导体器件工艺计量中的这一新的难度，各种类型的扫描探针显微术（SPM）被用来迎接这一挑战。扫描电容显微术（SCM）和扫描开尔文探针显微术（SKPM）与原子力显微术（AFM）相结合是半导体器件表征最有力的方法，因为它们具有无损扫描能力，在测量纳米样品方面具有较高的精确度，且无需制备任何样品。此外，这些方法与原子力显微术（AFM）的结合，使得同时获取表面状态数据和电学性质数据成为可能，而且无需改变样品或探针尖端。为此，扫描电容显微术（SCM）和扫描开尔文探针显微术（SKPM）被用来探究静态随机存取储器（SRAM）器件，而且资料表明，这些技术是半导体器件电学性质表征的有效手段。

Park原子力显微镜NX10使用手册

Park NX10为您带来最高纳米级分辨率的数据，值得您信赖、使用和拥有 。无论是样品设定、全扫描成像还是测量与分析，Park NX10都能在每一步为您节约时间，让您可以更加专注于创新研究工作。