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德国Osiris CHEMIXX CMP 30pm型CMP后清洗机
核心参数
清洗方法： 湿法清洗
产地类别： 进口
设备类型： 单晶圆清洗
晶圆尺寸： 8寸/12寸
相关技术： 化学液清洗、PVA刷清洗、兆声清洗
尺寸： 1200mm*850mm*1900mm
适用制程、应用范围： 半导体工艺制程环节中清洗工艺
产能： /
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n产品简介
CHEMIXX CMP 30pm是一款专门为晶圆双面清洗设计的系统，独立系统，占地面积小，非常适合有限的空间。具有4路化学液清洗，兆声清洗，PVA刷洗，去离子水冲洗等清洗模块，对晶圆有顶级的清洗能力。
n产品特色
÷ 晶圆最大 300mm PVA
÷ 双面清洗双面刷洗
÷ PVA双面刷洗
÷ 支持4路化学液清洗，包括氨水与SCI
÷ 工作台含驱动组件，用于晶圆低速旋转（50-100 rpm）
÷ 化学清洗臂含 4 路化学液
÷ 具有去离子水和稀释氨分配的水坑喷嘴
÷ 具有去离子水的 BSR（背面冲洗）喷嘴
÷ 具有带有流通孔的工艺室
÷ 标配三种不同化学品供应系统
÷ 工艺室外的手动去离子水枪。
÷ 化学液可加热，最高可达 60°C（最高85°C ）
÷ 外部可更换化学液
÷ 支持兆声清洗
÷ 支持高压等离子水冲洗
n技术数据
÷ 衬底尺寸: ?200 mm (?8 inch) 或 ?300 mm (?12 inch)
÷ 电机转速: 最大 3.000 rpm, 步长 1rpm
÷ 电机加速: 1 至 999.9 秒，步长 0.1 s
÷ 工艺腔室: 由 PP 白色制成（可选 PVDF)
Osiris湿法清洗设备CHEMIXX CMP 30pm的工作原理介绍
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北京市亦庄经济技术开发区大族广场T4-504室
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