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400-860-5168转3282
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核心参数
产地类别： 进口
晶圆尺寸： 兼容4-12寸
磨盘个数： 4
转速： 0 ~ 200 rpm
尺寸（L*W*D）： 1000 × 2030 × 2100(W x L x H, mm)
400-860-5168转3282
第一、产品简介：
韩国CTS公司的AIP300型CMP抛光机是一款12寸工业级CMP系统，可兼容4寸，6寸，8寸，12寸样品，可用于工厂及小批量量产。
第二、产品主要特色：
1、CMP抛光头：采用气囊加载模式，5区压力独立控制，可得到良好的工业级抛光效果；
2、自动上下片，自动抛光，干进干出；
3、抛光垫修整器：摆臂式设计，由13个传感器分别控制13个区域的下压力，可保证抛光垫高水平修整；
4、抛光垫修整器：具有在线修整与离线修整两种模式；
5，工艺数据可实时监测；
6、可存储多个Recipe；
7、带两个手臂及自动双面清洗设备
第三、核心技术参数：
抛光头 | 兼容4寸，6寸，8寸,12寸 |
抛光头摆动范围 | ±15mm |
抛光头转速 | 0-200rpm |
抛光头加压方式 | 气囊柔性加压背压功能（-区加压） |
抛光头压力范围 | 0.14-14 psi |
抛光盘尺寸 | 20英寸 |
抛光盘转速 | 0-200 rpm |
蠕动泵 | 2个 |
抛光液流速 | 20-500 cc/min |
抛光垫修整器分区 | 13区 |
抛光垫修整器在线扫描速度 | 10sweeps/min |
抛光垫修整器下压力 | 3-20lbs |
抛光垫修整器转速 | 0-150rpm |
CMP后片内非均匀性WIWNU 1sigma，去边5mm | < 5% |
CMP后片间非均匀性WTWNU 1sigma，去边5mm | < 3% |
仪器尺寸 | 1000×2030×2100(W× L× H, mm) |
冷却系统 | 包含 |
四，应用实例：
? CMP工艺 Si CMP, 氧化物 CMP(BPSG, TEOS, ThOx), 金属 CMP(W, Cu), 介质膜，STI等
? 工艺开发 可协助客户进行各类材料/薄膜等的CMP工艺技术开发
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