? 产品简介
SWC-4000型CMP后清洗机是美国NANO MASTER公司开发的一款科研级的高端清洗系统,用于去除晶圆在CMP工艺后晶圆表面污染物、残留物、或微尘颗粒等。该系统集成了美国NANO MASTER公司无损DI水兆声清洗专利技术,配合四路的化学试剂清洗,PVA刷洗以及带异丙醇的高速甩干等清洗模块,对于单片清洗而言具有顶级的基底清洗能力,是科研CMP后清洗机的首选仪器。
? 技术特色
• 兼容4,6,8,12寸片晶圆,同时可用于最大7”X 7”掩膜版清洗。
• 干进干出或湿进干出。
• 集成了专利的无损兆声清洗技术,同时支持去离子水冲洗、化学试剂清洗、PVA刷子刷洗、红外灯烘干/氮气吹扫甩干清洗模块。
• 配置4路化学容器罐,可支持4路化学清洗液进行清洗。
• 两种干燥模式:高速甩干与红外烘干,可同时使用。
• 用户可编程的清洗干燥工序,比如:
Cycle I:化学试剂清洗
Cycle II:去离子水冲洗
Cycle III:刷子刷洗
Cycle IV:兆声去离子水清洗
Cycle V:旋转甩干,氮气吹扫及红外灯烘干
每一套程序可以支持 20 个操作步骤。
• 可以存储多达 25 套产品程序。
• 结构紧凑,集成度高:把所有的清洗需要集成到一个紧凑的立柜中 ,旋转清洗单元、兆声脉冲射流清洗器、试剂容器以及所有的阀及传感器 都全部包含到该系统。
• 带触摸屏的PLC控制。
? 主要技术参数
Wafer尺寸 | 4,6,8,12寸片晶圆,可用于最大7”X 7”掩膜版清洗 |
清洗模块 | 去离子水冲洗、PVA刷子刷洗、化学试剂清洗、兆声清洗 |
去离子水 | 1.5L/min,30PSI |
PVA刷 | 刷子旋转转速:最大400RPM |
化学试剂清洗 | 4个4升容器罐用于装稀释的化学清洗液,通过N2施压控制流量与容器罐装卸。 |
兆声清洗 | 频率:1MHz功率:60W |
干燥方式 | 旋转甩干、氮气吹扫、红外灯烘干 |
存储recipe | 最多25个,每1个recipe可以支持 20 个清洗步骤,而在每一个步骤中可以设定以下参数: RPM 转速 (维持的转速 、 RAMP加速梯度(多快时间达到那个速度) 、 Dwell 运行时间 (维持想要的速度的时间有多长)。 |
旋转台 | 转速:0-2000RPM 加速度/减速度:<1-25.5秒(以0.1秒为增量) |
每步骤旋转维持时间 | 最大到550秒(以0.1秒为增量) |
每步骤(维持旋转)的试剂分布时间 | 1-540秒(以1秒为增量) |
每步骤(变速阶段)的试剂分布时间 | 1-25秒(以1秒为增量) |
化学试剂分配速率 | @15 PSI of N2, 83ccm (based on D.I.H2O) @20PSI of N2, 133ccm (based on D.I.H2O) |
控制器 | PLC控制系统,LCD触控屏控制 |
仪器尺寸 | 28”*32”*54” |
?应用
• Post CMP Wafer Cleaning
• Patterned and Un-patterned Masks and Wafers
• Ge, GaAs and InP Wafer Cleaning
• Cleaning of Diced Chips on Wafer Frame
• Cleaning after Plasma Etch or Photoresist
• Stripping
• Mask Blanks or Contact Mask Cleaning
• Cleaning of X-ray and EUV Masks
• Optical Lens Cleaning
• Cleaning of ITO Coated Display Panels
• Megasonic Assisted Lift-off Process