看了单晶炉的用户又看了
VERIC O6151A 碳化硅高温氧化炉
1、适用于碳化硅栅氧制备的氧化设备
Oxidation equipment suitable for SiC gate oxygen preparation
2、最高温度 1500℃,优异的温区均匀性
Max.temp 1500℃, excellent flat uniformity
3、石墨电阻加热,工艺腔室洁净
Graphite resistance heating, high cleanliness chamber
4、自动装片,Cassette to Cassette
Automatic loading, cassette to cassette
5、SEMI S2/S6 认证
SEMI S2/S6 certification
技术参数
1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容
2、适用材料 碳化硅
3、适用工艺 干氧氧化 、湿氧、Ar/N2 退火、NO/N2O 退火、H2 退火、DCE 清洗
4、适用领域 科研、化合物半导体
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
北方华创单晶炉VERIC O6151A 的工作原理介绍
单晶炉VERIC O6151A 的使用方法?
北方华创VERIC O6151A 多少钱一台?
单晶炉VERIC O6151A 可以检测什么?
单晶炉VERIC O6151A 使用的注意事项?
北方华创VERIC O6151A 的说明书有吗?
北方华创单晶炉VERIC O6151A 的操作规程有吗?
北方华创单晶炉VERIC O6151A 报价含票含运吗?
北方华创VERIC O6151A 有现货吗?
最多添加5台