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MARS iCE115 碳化硅外延系统
1、薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高
Thin film and thick film epitaxy compatible, high process stability
2、具备多层外延能力
Multi-layer epitaxy capability
3、独特的气流场和加热场设计，工艺性能优异
Unique flow field and thermal field design provide excellent process performance
4、可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好
Reliable pressure control system, good uniformity of film formation quality
技术参数 Technical Parameters
1、晶圆尺寸 4、6 英寸
2、适用材料 碳化硅 SiC
3、适用工艺 N&P 碳化硅外延
4、适用领域 科研、化合物半导体
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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外延系统MARS iCE115的使用方法?
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