硅单晶材料

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  • 铌酸锂单晶薄膜 钽酸锂单晶薄膜 300-900纳米，5-50微米
    300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅厚度1000-4000 纳米基底材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间铌酸锂单晶薄膜二氧化硅硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅掺镁铌酸锂单晶薄膜铌酸锂基底二氧化硅首页 - 产品300-900纳米钽酸锂单晶薄膜300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向 Y-42, Y-46.3, Z切等材料钽酸锂厚度300-900 纳米埋层材料二氧化硅厚度300-4000 纳米基底材料硅厚度400-500 微米钽酸锂单晶薄膜二氧化硅硅基底5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂、石英薄膜5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂及石英薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向X, Z, Y-42, Y-46.3切等材料钽酸锂、铌酸锂、石英等厚度5-50 微米基底材料硅厚度230-500 微米钽酸锂单晶薄膜硅基底铌酸锂单晶薄膜硅基底石英薄膜硅基底自支持超薄晶片、超平晶片自支持超薄、超平晶片尺寸3, 4 英寸切向X, Y, Z, AT切等厚度10-60 微米材料铌酸锂、钽酸锂、石英、硅等表面双抛或单抛铌酸锂单晶薄膜钽酸锂单晶薄膜石英薄膜特殊定制薄膜特殊定制铌酸锂、钽酸锂、石英薄膜顶层/ 详情基底层顶层薄膜层多层结构图形电极&波导结构异质材料 (二氧化硅/硅,硅, 蓝宝石, 石英等)周期性极化反转铌酸锂PPLN特殊尺寸电极 (金, 铂金,铬, 铝等)切向 (与体材料相同 )掺杂 (镁, 铁, 铒, 铥等)100-1000 纳米铌酸锂√√√√√√√√100-1500 纳米 钽酸锂√√√√√√√5-50 微米铌酸锂√√√√5-50 微米钽酸锂√√√√5-50 微米石英√√√300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅厚度1000-4000 纳米基底材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间铌酸锂单晶薄膜二氧化硅硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅掺镁铌酸锂单晶薄膜铌酸锂基底二氧化硅首页 - 产品300-900纳米钽酸锂单晶薄膜300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向 Y-42, Y-46.3, Z切等材料钽酸锂厚度300-900 纳米埋层材料二氧化硅厚度300-4000 纳米基底材料硅厚度400-500 微米钽酸锂单晶薄膜二氧化硅硅基底5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂、石英薄膜5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂及石英薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向X, Z, Y-42, Y-46.3切等材料钽酸锂、铌酸锂、石英等厚度5-50 微米基底材料硅厚度230-500 微米钽酸锂单晶薄膜硅基底铌酸锂单晶薄膜硅基底石英薄膜硅基底自支持超薄晶片、超平晶片自支持超薄、超平晶片尺寸3, 4 英寸切向X, Y, Z, AT切等厚度10-60 微米材料铌酸锂、钽酸锂、石英、硅等表面双抛或单抛铌酸锂单晶薄膜钽酸锂单晶薄膜石英薄膜特殊定制薄膜特殊定制铌酸锂、钽酸锂、石英薄膜顶层/ 详情基底层顶层薄膜层多层结构图形电极&波导结构异质材料 (二氧化硅/硅,硅, 蓝宝石, 石英等)周期性极化反转铌酸锂PPLN特殊尺寸电极 (金, 铂金,铬, 铝等)切向 (与体材料相同 )掺杂 (镁, 铁, 铒, 铥等)100-1000 纳米铌酸锂√√√√√√√√100-1500 纳米 钽酸锂√√√√√√√5-50 微米铌酸锂√√√√5-50 微米钽酸锂√√√√5-50 微米石英√√√铌酸锂单晶薄膜、钽酸锂单晶薄膜300-900纳米，5-50微米
    供应商： 北京亚科晨旭科技有限公司
    价格： ¥100
  • M型单晶/P型多晶金刚石抛光液
    *产品名称*品牌*产品规格*产品价格M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎9MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎6MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3Mpe 1L/瓶2200M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1Mpe 1L/瓶2200M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4Mpe 1L/瓶2200Bio DIAMANT系列水基环保抛光液遵循欧洲严格的REACH标准，做到零有机物排放（VOC-Free）和生物友好，非常适合制样实验室使用，无需特殊的排放处理程序。M型单晶金刚石抛光液，精准的粒径分布，高效的抛光能力，轻松的色彩识别配套，可以配合全品类抛光织物使用，是制样实验室最适用的产品品种。M型单晶高效型金刚石磨料悬浮液规格颜色粒度原料：单晶高效型金刚石磨料悬浮液9MMe型红色悬浮液9μm适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛6MMe型黄色悬浮液6μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛3MMe型绿色悬浮液3μm适合需要完美保边和保存夹杂物的制样要求，达成优秀的平整表面的初抛1MMe型蓝色悬浮液1μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的最终抛光0.25MMe型灰色悬浮液0.25μm适用于中硬度的最终抛光P型多晶金刚石抛光液，优质的多晶结构配合高密度织物可以快速提高抛光效率，提升制样表面平整度，推荐配合高密度强支撑高平整度抛光布使用。P型单晶高效型金刚石磨料悬浮液原料：多晶快速分散型金刚石磨料适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛
    供应商： 上海杰星生物科技有限公司
    品牌： 德国古莎
    价格： 0
  • 碲化铁铜单晶
    简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化铁铜单晶CuFeTe Crystals
    供应商： 上海巨纳科技有限公司
    品牌： 2D SEMICONDUCTOR
    价格： 0
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硅单晶材料相关的仪器

  • 单晶靶材 400-860-5168转2205
    产品名称：单晶靶材 产品简介：我公司是各种靶材的专业生产商。可为光学镀膜、半导体、磁数据存储，玻璃，机械加工等镀膜企业和科研院所提供高品质（高纯度、高致密度、单相性好）的靶材。不仅满足了国内科研院所及相关企业的需求，而且远销至美国、德国、日本、韩国、新加坡等国家和地区，并得到客户的称赞和信赖。欢迎来函来电定购。本公司生产的单晶靶材由单晶棒制作，质量可靠，为广大用户理想选择。 具体信息：材料纯度相对密度最大直径Al2O34N100%4"CaF24N100%2"GaAs5N100%2"GaP5N100%2"LaAlO34N100%3"LiNbO34N100%3"LiTaO34N100%3"MgO4N100%2"SrTiO34N100%1"SiO24N100%4"Si5N100%6"Ge5N100%4"YSZ4N100%2"
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    厂商： 合肥科晶材料技术有限公司
    品牌： 合肥科晶
    型号： 单晶靶材
    价格： 面议
  • DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪
    DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪关键词：电解质溶液、导电凝胶、碳粉、石墨烯粉体浆料 DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪是一种区别于直流法测试材料电阻率的新的测试方法，主要是针对于离子导电物质（如电解质溶液、导电凝胶）和导电粉体悬浊液（如碳粉、石墨烯粉体浆料）设计的电阻率测试仪器。适用范围：广泛应用于科研单位、高等院校对凝胶、溶液、离子导电材料以及不适用于直流测试样品的导电性能测试。一、主要功能材料测试项目：1、离子导电物质（如电解质溶液、导电凝胶）电阻率，电导率测试2、导电粉体悬浊液（如碳粉、石墨烯粉体浆料）电阻率，电导率测试3、可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或 PE 膜等基底薄膜涂层电阻率/方阻二、符合：符合：符合 GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等国标并参考美国 A.S.T.M 标准。三、 优势特征：1、本测试仪特增设测试结果自动分类功能。2、可定制 USB 通讯接口，便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。3、8 档位超宽量程，行业。 同行一般为五到六档位。4、仪器小型化、手动/自动一体化。5、仪器操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便而且免除模拟定位器的不稳定。6、 探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。四、基本技术参数3.1 测量范围1、电阻率：2πS*（0.10Ωm～100kΩm），（ S 针距，单位 m）2、电阻：0.10Ω～100.0kΩ3、 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)4、直 径：测试台直接测试方式 180mm×180mm5、手持方式不限. 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm,6、测量方位: 轴向、径向均可7、碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距 1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调(薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距 2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调8、电源：22V，DC 8.4V (充电锂电池，大容量电池为厂家定制)9、.外形尺寸、重量：10、主 机： 240mm（长）×130 mm（宽）×50mm（高）， 净 重：≤2.5kg11、带电脑软件，可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。12、USB 通讯接口，通用性好、方便快捷。13、可以配置ZJ-3型压电测试仪进行D33系数测试
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    厂商： 北京中芯云科仪器有限公司
    品牌： 精科/JK
    型号： DAD-4
    价格： 面议
  • 奥龙YXG-2型单晶滚磨X射线定向仪 400-860-5168转0668
    YXG-2型单晶滚磨X射线定向仪YXG-2 MODEL SINGLE CRYSTAL GRINDER X-RAY ORIENTATION INSTRUMENT 产品特点用于大直径硅单晶及蓝宝石参考面的定向测量,也可以用于其它种类的单晶定向测量,需和磨床配合。因该机测量的角度是固定的,所以保证了滚磨后晶向的准确性。 FeaturesThis model suits for orientation measurement of cylindrical surface of silicon single crystal with big diameter. It can also be used for other types of single crystal' s orientation measurement. It is specially used with roller mill, orientation for crystal cylindrical surface. Because this machine is with fixed angel and assures precision of crystal' s direction after rolling mill, products' orientation precision can be improved. 技术指标●输 入 电 源: 单相交流电压220V,50Hz,0.3kW● X 射 线 管: 铜靶,风冷.管电压:30kV,管电流:0~5mA●计 数 器: 盖革计数管●时 间 常 数: 0.1、0.4、3秒三档●狭 缝: 4' 5' 6' ●光 闸: 电动●外 形 尺 寸: 控制部分:550mm(长)×350mm(宽)×1700mm(高) 测试部分:750mm(长)×550mm(宽)×1750mm(高)●重 量: 180kg Technical Parameters●Input power: Single-phase AC voltage with 220V,50Hz,0.3kW●X-ray tube: Cu target, air cooling. Tube voltage: 30kV, Tube current :0~5mA●Counter: Geiger counter●Time constant: 0.1s, 0.4s, 3s●Slit range: 4' , 5' , 6' ●Optical Shuttle: electricity●Size:Controller device:550mm(L)×350mm(W)×1700mm(H) Testing device:750mm(L)×550mm(W)×1750mm(H)●Weight:180kg
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    厂商： 丹东奥龙射线仪器集团有限公司
    品牌： 奥龙/aolong
    型号： YXG-2型
    价格： 面议
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  • 【资料】单晶学习材料

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  • 【求助】（已应助）求单晶硅的分析标准（GB 1550~GＢ1556)

    求以下标准，若能提供给我，将万分感谢！可发邮件到wxy-lkx@163.comGB1550 硅单晶导电类型测定方法GB 1551 硅单晶电阻率直流二探针测量方法GB 1552 硅单晶电阻率直流四探针测量方法GB 1553 硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法GB 1554 硅单晶（111）晶面位错蚀坑腐蚀显示测量方法GB 1555 硅单晶晶向光图测量方法GB 1556 硅单晶晶向X光衍射测量方法GB 6459 地面用太阳电池电性能测试方法

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  • 年产10万片碳化硅单晶衬底项目在涞源投产
    9月5日上午，河北同光科技发展有限公司年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，在保定市涞源县经济开发区投产，成为保定第三代半导体产业从研发到规模量产的一次成功跨越。碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表，处在碳化硅产业链的最前端，是高端芯片产业发展的基础和关键。河北同光晶体有限公司是全省首家能够量产第三代半导体材料碳化硅单晶的战略新兴企业。2020年3月，涞源县人民政府与该公司签署协议，政企共建年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，总投资约9.5亿元、规划占地112.9亩。项目采用国际先进的碳化硅单晶衬底生产技术，布局单晶生长炉600台，购置多线切割机、研磨机等加工设备200余台，建成具有国际先进水平的碳化硅单晶衬底生产线。该公司董事长郑清超介绍，项目从动工到投产用时17个月，满产运行后能够将产能提升3倍，产品将面向5G通讯、智能汽车、智慧电网等领域，满足其芯片需求，预计年销售收入5-10亿元。下一步，同光正谋划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地和年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，拟总投资40亿元。到2025年末实现满产运营后，预计新增产值40-50亿元，成为全球重要的碳化硅单晶衬底供应商。保定市副市长王建峰表示，保定不仅具有支撑科技成果转化落地的产业优势，还拥有17所驻保高校、354家科技创新平台、23万名专业技术人才等雄厚人才支撑的科技创新优势，是全国创新驱动发展示范市和“科创中国”试点城市。未来将在数字经济、生物经济、绿色经济领域全面发力，重点围绕“医车电数游”、被动式超低能耗建筑和都市型农业等七大重点产业，大力实施“产业强市倍增计划”和“双千工程”，积极推动“北京研发保定转化、雄安创新保定先行”，着力建设创新驱动之城，加快构建京雄保一体化发展新格局，聚力打造京津冀城市群中的现代化品质生活之城。
    时间： 2021-09-07
    作者： KPC
  • 浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
    据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。据介绍，碳化硅（SiC）单晶作为宽禁带半导体材料，对高压、高频、高温及高功率等半导体器件的发展至关重要。目前，国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。科研人员表示，增加碳化硅单晶厚度主要挑战在于其生长时厚度的增加及源粉的消耗对生长室内部热场的改变。针对挑战，浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺，显著提升了碳化硅单晶的生长速率，成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。
    时间： 2022-07-29
    作者： 情绪波动
  • 宽禁带联盟对《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》等五项团体标准进行研讨及审定
    2022年1月13日，根据中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）团体标准制定工作程序要求，联盟秘书处组织召开了宽禁带联盟2022年度第一次团体标准评审会。本次评审会采取线上评审的形式，分别对《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》等五项团体标准进行了研讨及审定。线上评审评审会由宽禁带联盟秘书长刘祎晨主持，厦门大学张峰教授、中国科学院物理研究所王文军研究员、中国科学院半导体研究所金鹏研究员、孙国胜研究员、刘兴昉副研究员、国网智能电网研究院有限公司杨霏教授级高工、中科院电工所张瑾高工、工业和信息化部电子第四研究院闫美存高工、北京聚睿众邦科技有限公司总经理闫方亮博士、北京天科合达半导体股份有限公司副总经理刘春俊研究员、国宏中宇科技发展有限公司副总经理赵子强、北京世纪金光半导体有限公司技术主任何丽娟、北京三平泰克科技有限责任公司郑红军高工等宽禁带联盟标准化委员会委员参加了本次会议。会上，各牵头起草单位代表就标准送审稿或草案的编制情况进行了详细汇报，与会专家针对标准技术内容、专业术语、技术细节、标准格式、标准规范等内容等方面进行了深入的讨论，并提出了很多宝贵意见，最后经联盟标准化委员会与会委员表决，形成如下决议：1. 通过《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》（牵头单位：国宏中宇科技发展有限公司）一项送审稿审定；2. 通过《碳化硅外延层载流子浓度测试方法-非接触电容-电压法》、《碳化硅栅氧的界面态测试方法—电容-电压测试法》（牵头单位：芜湖启迪半导体有限公司），《金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》、《金刚石单晶位错密度的测试方法》（牵头单位：中国科学院半导体研究所）四项草案初审。同时标准化专家组建议各标准工作组要根据专家审查意见对各项标准进一步修改完善，尽快形成报批稿或征求意见稿，报送至联盟秘书处。联盟将按照标准制定工作计划进度要求，有条不紊地推动标准工作。宽禁带联盟一直以来都高度重视团体标准工作的发展，有责任和义务不断提升标准化水平，为引领行业技术发展提供重要支撑。同时，联盟也将积极探索推进与国标委的互动，协同推动优秀的团体标准上升为行业标准、国家标准，不断提升国家标准的水平。
    时间： 2022-01-17
    作者： KPC
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