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碳化硅器件在新能源发电、新能源汽车、轨道交通、充换电设施及工业电源等领域已逐步应用,基于碳化硅芯片封装形成的功率模块提高了电源装置系统的集成度与可靠性,可广泛应用于更复杂的场景。报告介绍了碳化硅电力电子产业发展情况、基于自主化碳化硅MOSFET和SBD芯片的功率模块封装与性能测试、碳化硅功率模块驱动与保护开发等。
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半导体工艺制程驱动下的芯片集成开创了信息化黄金时代,然而摩尔定律在物理瓶颈下的趋势延缓已成定局,合久必分的大势促使集成电路产业寻求更高性价比的IC集成方案,前道Foundry和后道OSAT的界面逐渐模糊,承上启下的先进封装如何区分工艺特征?哪种集成工艺是最优越的?而面向感存算一体化的终极集成,封装的未来向何处去?
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封装材料高温高湿可靠性检测新方法及应用
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功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验。本报告基于功率循环测试基本原理,从测试技术、测试方法和数据处理三个大方面对其存在的挑战进行深入分析。测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点;测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和SiC MOSFET的测试方法;数据处理部分则是探究了测试样本数量和对测试结果的修正。
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第三代半导体功率器件进入新的发展和应用时期,氮化镓(GaN)因其优秀的材料特性,如二维电子气沟道特征、大面积硅衬底应用成本优势等,已经受到学术界和产业界的广泛重视。本次报告将主要介绍氮化镓功率器件的技术特点与发展瓶颈、关键制造与检测技术、产业应用前景等方面内容。
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主要介绍“双碳目标”下新型电力系统的演进和特点,新型电力系统对宽禁带半导体功率器件的发展需求,宽禁带半导体功率器件发展面临的问题和挑战,宽禁带半导体功率器件产业化发展的方向等。
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半导体的载流子动力学性质,包括扩散长度、寿命和扩散系数是决定器件性能的关键因素。在材料和器件中,位错、杂质等纳米结构对载流子动力学性质有很大的影响。如和从纳米尺度表征这些特征结构对载流子动力学性质的影响,对表征方法和手段提出了新的要求。本报告应该自主研制的深紫外光辅助原子力显微镜和同位时间分辨光谱,发展了一种扫描扩散显微术的方法,可对第三代宽禁带半导体(GaN,AlGaN等)中垂直表面的载流子扩散长度、寿命和扩散系数进行分析,并获得其横向的分布。与同时获得的形貌结构对比,可研究微纳结构对载流子动力学性质的影响。
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硅光技术是融合微电子和光电子的新兴技术,在光通信、传感、计算等领域具有广阔的应用前景。硅光芯片的制造工艺与CMOS工艺兼容,主要工艺模块包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积与外延、合金化等。本报告将介绍中科院微电子所硅光平台的典型工艺流程、对外技术服务,以及平台对相关薄膜工艺设备的需求和应用。