第三代半导体功率器件进入新的发展和应用时期，氮化镓（GaN）因其优秀的材料特性，如二维电子气沟道特征、大面积硅衬底应用成本优势等，已经受到学术界和产业界的广泛重视。本次报告将主要介绍氮化镓功率器件的技术特点与发展瓶颈、关键制造与检测技术、产业应用前景等方面内容。
