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宽禁带半导体微纳尺度光电性质的表征方法和装备研究

主讲人:刘争晖(中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所) 上传时间:2021/12/28 18:12
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半导体的载流子动力学性质,包括扩散长度、寿命和扩散系数是决定器件性能的关键因素。在材料和器件中,位错、杂质等纳米结构对载流子动力学性质有很大的影响。如和从纳米尺度表征这些特征结构对载流子动力学性质的影响,对表征方法和手段提出了新的要求。本报告应该自主研制的深紫外光辅助原子力显微镜和同位时间分辨光谱,发展了一种扫描扩散显微术的方法,可对第三代宽禁带半导体(GaN,AlGaN等)中垂直表面的载流子扩散长度、寿命和扩散系数进行分析,并获得其横向的分布。与同时获得的形貌结构对比,可研究微纳结构对载流子动力学性质的影响。

讲师简介:

刘争晖,北京大学凝聚态物理专业获理学博士学位。博士期间作为主要完成人之一研制了全国产化的能得到高质量硅表面原子分辨的超高真空扫描隧道显微镜,该设备获得北京大学第四届实验技术成果奖二等奖。目前任职中科院苏州纳米所,在测试分析平台扫描探针实验室工作,负责扫描探针相关的测试服务工作;研发基于扫描探针的微纳米尺度光、电、力学综合测试分析设备和相关技术;与研究部合作,开展基于新装备和新方法的应用基础研究。研制完成了首台“扫描近场光电多功能探针系统”,参与研制完成了首台“深紫外扫描近场光电多功能探针系统”。采用基于扫描探针的紫外光电压谱对纳米尺度的半导体载流子动力学性质进行了系统研究。发表多篇SCI论文,主持和参与中科院、基金委和科技部的多项仪器和表征技术研发项目,入选中科院青年创新促进会会员和中科院关键技术人才。

相关领域:

(食品/饮料/烟草)-(糖果/巧克力及制品)

相关仪器:

(光学仪器及设备)-()-()

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