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SiCma系统专为通过物理气相传输系统（PVT）的方式生产碳化硅晶体而开发。在此过程中，粉末状的原材料在高温下被加热和升华，最后沉积在特定准备的基片上。这项工艺将通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热。随着全球工业领域环保意识的提高，PVA TePla也紧跟时代步伐，通过对该感应线圈进行优化设计以实现低能源消耗。
可使用的籽晶片尺寸为直径100至150毫米（4" – 6"）。鉴于该系统的高度自动化和紧凑设计（较小的占地面积），可以实现该系统的生产化。此外，还有一个用于装载和卸载设备的移动系统，以及众多可以在模块基础上添加的选项，例如，真空泵和测量设备。
产品数据概览 :
最大晶体直径： 6"
4英寸石英管的内径加工室： 286 mm
4英寸石英管的内径加工室： 378 mm
频率： 6 - 10 kHz
多年来，所谓的物理气相传输 (PVT) 工艺已成为生产作为宽禁带半导体材料的碳化硅单晶的标准方法。在此过程中，SiC 源材料，通常是 SiC 粉末，在超过 2000°C 的温度下通过升华转化为气相。然后在已有籽晶上从气体成分凝华形成SiC单晶。
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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