看了化学气相沉积设备的用户又看了
一、化学气相沉积MOCVD 产品介绍：
1.应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等
2. 从研发到大规模生产
3. 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch
4. 通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch
5. Ga2O3薄膜生长速率：>3um/h
6. Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm
二 、化学气相沉积MOCVD产品原理及性能：
1.MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料
2. 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃
3. 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）
4. 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能
5.搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图
三、企业简介：
深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。
致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。
公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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