刻蚀原理： 等离子体刻蚀
产地类别： 进口
刻蚀原理： 反应离子刻蚀
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产品简介：
PERI-RIE是韩国ULtech公司生产的一款基于反应离子刻蚀（RIE）技术的干法刻蚀系统。RIE是一项应用于精密加工的刻蚀技术，相比湿法刻蚀具有不同的优势。
主要参数：
应用 | 金属及介电材料刻蚀 |
刻蚀材料 | SiO2, Si3N4, Si, Al, GaN, HfO2, Al2O3,石墨烯,… |
基底尺寸 | 最大12英寸 |
产能 | 1 wafer/次 |
源注入类型 | 双离子束 |
供电 | 射频功率最大值2Kw@13.56MHz(带射频匹配网络) |
极限压力 | < 5.0E-3 Torr |
压力控制 | 自动压力控制(节流阀，气压计) |
气体输送 | SF6, CHF3, CF4, C4F8, BCl3,Cl2O2, Ar, He,… |
真空泵 | 干泵或旋转泵 |
控制器 | PC控制(UPRO软件) |
选项 | TMP, |
前置样品传送腔体（Loadlock chamber） | |
系统尺寸(宽*深*高) | 800mm × 880mm × 1200mm |
应用案例：
Si3N4,Si,SiO2 etching Process data(RIE)
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 有
免费仪器保养: 6月1次
保内维修承诺: 免费维修更换零件
报修承诺: 48小时内响应
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