全自动原子层沉积系统（ALD）

    Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学，05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止，Veeco在ALD设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ALD设备。                                                                                                        

方式: Plasma & Thermal ALD

优势: 标准自动加载锁定集成、加热、薄箔ALD trap

薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金属Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS, ZnOS等

反应腔体大小: 可达200 mm

设备尺寸: 1845 x 715 x 1920 mm

操作模式: 连续模式(传统Thermal ALD) 曝光模式(超高深宽比) 等离子体模式(等离子体加强ALD)

功率: 220-240 VAC, 4200 W per reactor (不包含泵)

最强温度: 标准200mm衬底加热至500°C / 可选100mm衬底加热至800°C

沉积均一性: 1σ均一性 / Thermal Al2O3 -1.5%, Plasma Al2O3 -1.5%循环时间: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C

兼容: 标准四端口，可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体，可独立加热至200°C

阀门: 工业标准ALD阀门(最小响应10ms)

前驱体源瓶: 50cc(最多填充25ml)不锈钢气瓶

载气/排气: 100 sccmAr precursor carrier gas MFC  / 500 sccmAr Plasma gas MFC / 100 sccm N2 plasma gas MFC / 100 sc100 sccm H2 plasma gas MFC / cm O2 plasma gas MFC

原位分析选项: H2S兼容配件, 原位QCM, 原位椭便仪, RGA端口, 光发射光谱仪, 样品高度高达57mm的晶圆

臭氧发生器, LVPD, 集成手套箱, 衬底偏压